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GlobalFoundries planea la producir 3 Generaciones a 7nm


Durante el próximo año, la mayoría de firmas productoras de chips alcanzarán arquitecturas fabricadas a 10 nanómetros (nm) o menos, una carrera que está siendo actualmente liderada por la compañía GlobalFoundries, que mantiene una alianza con IBM y con Samsung. Tal y como ya se sabía por la propia compañía, se saltarán la litografía de los 10nm, pasando directamente a los 7nm desde los semiconductores fabricados a 14nm.

Según GlobalFoundries, estos nuevos semiconductores, comparados con la previa generación de 14nm, proporcionarán un 40 por ciento de rendimiento generacional, mientras que el consumo energético se verá reducido en un 60 por ciento. No obstante, el precio final no se verá rebajado en exceso, sólo en un 25 por ciento, debido principalmente a los complejos y cada vez más avanzados procesos de producción que se utilizan.

Para la nueva generación de semiconductores, GlobalFoundries planea realizar hasta tres modelos diferentes, llamados Gen1, Gen2 y Gen3, que utilizarán diferentes técnicas litográficas en su producción. Para la litografía de la Gen1 se utilizará la técnica DUV (Luz Ultravioleta Profunda), mientras que para la Gen2 y Gen3 se combinarán esta técnica y la EUV (Luz Ultravioleta Extrema). Sin embargo, los semiconductores de la segunda y tercera generación no llegarán hasta el año 2018 o 2019, debido a complicaciones con el sistema de producción EUV.

Fuente:Eteknix


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