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Toshiba Memory presenta dispositivos UFS que utilizan Flash 3D de 64 capas


Toshiba Memory Corporation, el líder mundial en soluciones de memoria, ha comenzado hoy el muestreo de dispositivos Universal Flash Storage (UFS) que utilizan la avanzada memoria flash BiCS FLASH 3D de 64 capas de Toshiba Memory Corporation. Los nuevos dispositivos UFS satisfacen las demandas de rendimiento para aplicaciones que requieren un rendimiento de lectura / escritura de alta velocidad y bajo consumo de energía, incluidos dispositivos móviles como teléfonos inteligentes y tabletas, y sistemas de realidad aumentada y virtual.

La nueva alineación estará disponible en cuatro capacidades: 32 GB, 64 GB, 128 GB y 256 GB. Todos los dispositivos integran memoria flash y un controlador en un solo paquete JEDEC estándar de 11.5 x 13 mm. El controlador realiza la corrección de errores, la nivelación del desgaste, la traducción de direcciones lógico a físico y la administración de bloques defectuosos, lo que permite a los usuarios simplificar el desarrollo del sistema.

Los cuatro dispositivos cumplen con JEDEC UFS Ver 2.1, incluido HS-GEAR3, que tiene una velocidad de interfaz teórica de hasta 5.8 Gbps por carril (x2 carriles = 11.6 Gbps) a la vez que suprime cualquier aumento en el consumo de energía. El rendimiento secuencial de lectura y escritura del dispositivo de 64 GB es de 900 MB / sy 180 MB / s, mientras que el rendimiento de lectura y escritura aleatoria es aproximadamente 200% y 185% mejor, respectivamente, que los de dispositivos de generaciones anteriores. Debido a su interfaz en serie, UFS admite dúplex completo, lo que permite tanto la lectura simultánea como la escritura entre el procesador host y el dispositivo UFS.


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