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La Primera DRAM de la clase de 10nm de Segunda Generación de Samsung Now Mass Producing Industry


Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que comenzó a producir en masa la primera generación de la segunda generación de 10 nanómetros de clase (1y-nm), 8-gigabit (Gb) DDR4 DRAM de la industria. Para su uso en una amplia gama de sistemas informáticos de última generación, el nuevo 8 Gb DDR4 presenta el rendimiento y la eficiencia energética más altos para un chip DRAM de 8 Gb, así como las dimensiones más pequeñas. "Al desarrollar tecnologías innovadoras en el diseño y proceso de circuitos DRAM, hemos superado lo que ha sido una gran barrera para la escalabilidad de DRAM", dijo Gyoyoung Jin, presidente de Memory Business en Samsung Electronics. "A través de un rápido aumento de la DRAM de segunda clase de 10 nm, ampliaremos nuestra producción general de DRAM de 10 nm de manera más agresiva, para acomodar la fuerte demanda del mercado y continuar fortaleciendo nuestra competitividad comercial". El DDR4 de 8 Gb de clase 10nn de segunda generación de Samsung presenta una ganancia de productividad aproximada del 30 por ciento en comparación con el DDR4 de 8 Gb de primera clase de 10 nm de la compañía. Además, los nuevos niveles de rendimiento y eficiencia energética de 8 Gb DDR4 se han mejorado aproximadamente un 10 y un 15 por ciento, respectivamente, gracias al uso de una tecnología de diseño de circuitos avanzada y patentada. El nuevo 8Gb DDR4 puede operar a 3.600 megabits por segundo (Mbps) por pin, en comparación con 3.200 Mbps del DDR4 de 8 Gb de 1x-nm de la compañía. Para habilitar estos logros, Samsung ha aplicado nuevas tecnologías, sin el uso de un proceso EUV. La innovación aquí incluye el uso de un sistema de detección de datos de células de alta sensibilidad y un esquema progresivo de "espaciadores de aire". En las celdas de DRAM de segunda generación de 10 nm de clase de Samsung, un sistema de detección de datos recientemente diseñado permite una determinación más precisa de los datos almacenados en cada celda, lo que conduce a un aumento significativo en el nivel de integración de circuitos y productividad de fabricación. La nueva DRAM de 10 nm-class también hace uso de un espaciador de aire único que se ha colocado alrededor de sus líneas de bit para disminuir drásticamente la capacitancia parásita. El uso del separador de aire permite no solo un mayor nivel de escalamiento, sino también un funcionamiento rápido de la celda. Con estos avances, Samsung ahora está acelerando sus planes para presentaciones mucho más rápidas de chips y sistemas DRAM de próxima generación, incluyendo DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6, para usar en servidores empresariales, dispositivos móviles, supercomputadoras, sistemas HPC y gráficos de alta velocidad tarjetas. Samsung ha terminado de validar sus módulos DDR4 de segunda generación de 10 nm con fabricantes de CPU, y luego planea trabajar estrechamente con sus clientes globales de TI en el desarrollo de sistemas informáticos de próxima generación más eficientes. Además, el principal productor de DRAM del mundo espera no solo aumentar rápidamente el volumen de producción de las generaciones de DRAM de segunda generación de 10nm, sino también fabricar más de su DRAM de primera generación de 10 nm, que en su crecientes demandas de DRAM en sistemas electrónicos premium en todo el mundo.


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