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Samsung Miniaturiza la Z-SSD al factor de forma M.2


Samsung dio a conocer una variante M.2 de su buque insignia de alto rendimiento Z-SSD. Dirigida a estaciones de trabajo, HPC y servidores AI, la línea Z-SSD se basa en la memoria flash Z-NAND patentada de Samsung, que ofrece un rendimiento de lectura celular "hasta 10 veces" mayor que el V-NAND 3D convencional (que se encuentra en unidades como el 960 Pro). Este rendimiento luego se intercambia por las latencias y los tiempos de respuesta más bajos posibles, lo que puede ayudar a ciertas aplicaciones de inteligencia artificial. El Z-SSD M.2 está construido en el factor de forma M.2-22110 (110 mm de longitud) y cuenta con una interfaz PCI-Express gen 3.0 x4 y aprovecha el protocolo NVMe. El disco parece tener un controlador de 8 canales que es similar al que maneja el SSD PM983 de la compañía, y no exactamente el controlador de 16 canales que se encuentra en la variante AIC más grande de este disco. Disponible en capacidades de 240 GB y 480 GB, el disco ofrece tasas de transferencia secuencial de hasta 3200 MB / s de lecturas, con hasta 2800 MB / s de escrituras; con una resistencia de 30 DWPD. Al igual que sus hermanos mayores, el Z-SSD M.2 viene con un banco de condensadores para ofrecer protección contra pérdida de energía. La compañía no reveló información de disponibilidad o precios.

Fuente: Anandtech


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