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El proceso Intel 10 nm aumenta la densidad del transistor en 2.7x más de 14 nm: informe


La fabricación de silicio FinFET de 10 nanómetros de Intel se está uniendo a un ritmo más lento de lo esperado, sin embargo cuando lo hace, podría ampliar enormemente el lienzo para los diseñadores de chips de la compañía, según un informe técnico de Tech Insights. Los investigadores quitaron el dado de un procesador Intel "Cannon Lake" Core i3-8121U dentro de un Lenovo Ideapad330 y lo colocaron bajo su microscopio electrónico.

Su resumen menciona bastantes detalles jugosos del proceso de 10 nm. El mayor de estos es el logro de un aumento de 2,7 veces en la densidad de transistores sobre el nodo actual de 14 nm, lo que permite a Intel acoplar hasta 100,8 millones de transistores por milímetro cuadrado. Una matriz de 127 mm² con nada más que un mar de transistores, podría tener 12.8 mil millones de transistores. El nodo Intel 10 nm también utiliza tecnología FinFET de tercera generación, con una reducción en el paso mínimo de puerta de 70 nm a 54 nm; y un paso de metal mínimo de 52 nm a 36 nm. 10 nm también ve a Intel introducir la metalización del cobalto en las capas de granel y de anclaje del sustrato de silicio. El cobalto surgió como una buena alternativa al tungsteno y al cobre como material de contacto entre capas, debido a su menor resistencia en tamaños más pequeños.

Fuente: Tech Insights


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