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Intel apunta a la infraestructura 5G con la última tecnología de fotónica de silicio


Intel anunció hoy detalles sobre la expansión de su cartera de transceptores de fotónica de silicio 100G más allá del centro de datos y en el borde de la red. En la Conferencia Europea sobre Comunicación Óptica (ECOC) en Roma, Intel reveló detalles sobre nuevos productos de fotónica de silicio que están optimizados para acelerar el movimiento de cantidades masivas de datos generados por nuevos casos de uso de 5G y aplicaciones de Internet de las cosas (IoT). Los últimos transceptores de fotónica de silicio 100G están optimizados para cumplir con los requisitos de ancho de banda de la infraestructura de comunicaciones de próxima generación, a la vez que resisten las duras condiciones ambientales.

"Nuestros clientes de nube hiperescala están utilizando actualmente los transceptores de fotónica de silicio 100G de Intel para ofrecer una infraestructura de centro de datos de alto rendimiento a escala. Al extender esta tecnología fuera del centro de datos y en la infraestructura 5G en el borde de la red, podemos ofrecer los mismos beneficios los proveedores de servicios de comunicaciones a la vez que soportan las necesidades de ancho de banda de fronthaul de 5G ", dijo el Dr. Hong Hou, vicepresidente y gerente general de la división de productos de fotónica de silicio de Intel.

En la era centrada en los datos, la capacidad de mover, almacenar y procesar datos es primordial. Las soluciones de fotónica de silicio 100G de Intel ofrecen un enorme valor al ofrecer una conectividad rápida, confiable y rentable. El movimiento de la industria hacia 5G, junto con una rampa en el tráfico de red existente, como la transmisión de video, está forzando la infraestructura de comunicaciones existente que debe admitir un rango de espectro ampliado que incluye mmWaves, MIMO masivo y densificación de red. Los últimos transceptores de fotónica de silicio 100G de Intel satisfacen las demandas de ancho de banda de las aplicaciones de fronthaul inalámbricas 5G. Estos transceptores están diseñados para cumplir con las duras condiciones al aire libre de las torres celulares con la capacidad de admitir el transporte óptico a la unidad de banda base o a la oficina central más cercana (hasta 10 km). El láser integrado de Intel en el enfoque de silicio hace que sus transceptores de fotónica de silicio sean adecuados para la producción en masa y el despliegue como rampas de infraestructura 5G. Las muestras de los transceptores de fotónica de silicio de Intel que apuntan a la infraestructura inalámbrica 5G ya están disponibles. El inicio de la producción de los nuevos módulos inalámbricos de fotónica de silicio está programado para el primer trimestre de 2019. Intel proyecta la oportunidad de mercado total para su negocio de conectividad, que incluye fotónica de silicio, para crecer de $ 4 mil millones a un mercado total de $ 11 mil millones en 2022. Desde la presentación de su primer producto de fotónica de silicio 100G en 2016, Intel ha incrementado la producción y es envío de sus productos de centro de datos 100G a una tasa de ejecución de más de un millón de unidades por año. A principios de este año, Intel demostró sus capacidades de fotónica de silicio 400G. Se espera que las muestras de sus productos de fotónica de silicio 400G estén disponibles el próximo trimestre con el envío por volumen de los módulos de 400G programados para la segunda mitad de 2019.


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