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Samsung lanza SSD V-NAND 3D de sexta generación


Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en masa una unidad de estado sólido (SSD) SATA de 250 gigabytes (GB) que integra la sexta generación (capa 1xx) de 256 gigabits (Gb) de la compañía V-NAND de tres bits para OEM de PC globales. Al lanzar una nueva generación de V-NAND en solo 13 meses, Samsung ha reducido el ciclo de producción en masa en cuatro meses al tiempo que garantiza el rendimiento, la eficiencia energética y la productividad de fabricación más altos de la industria. "Al llevar la tecnología de memoria 3D de vanguardia a la producción en volumen, podemos introducir alineaciones de memoria oportunas que elevan significativamente el nivel de velocidad y eficiencia energética", dijo Kye Hyun Kyung, vicepresidente ejecutivo de Solución de Producto y Desarrollo en Samsung Electronics. "Con ciclos de desarrollo más rápidos para los productos V-NAND de próxima generación, planeamos expandir rápidamente los mercados para nuestras soluciones basadas en V-NAND de alta velocidad y alta capacidad de 512 Gb".

El único troquel de memoria 3D de una sola pila con un diseño de más de 100 capas La V-NAND de sexta generación de Samsung presenta la velocidad de transferencia de datos más rápida de la industria, aprovechando la ventaja distintiva de fabricación de la compañía que está llevando la memoria 3D a nuevas alturas. Utilizando la tecnología única de grabado de agujeros de canal de Samsung, el nuevo V-NAND agrega alrededor de un 40 por ciento más de celdas a la estructura anterior de pila única de 9 capas. Esto se logra mediante la construcción de una pila de moldes conductores de electricidad que consta de 136 capas, luego perfora verticalmente los agujeros cilíndricos de arriba a abajo, creando celdas de flash de captura de carga 3D (CTF) uniformes. A medida que la pila de moldes en cada área de celda aumenta en altura, los chips flash NAND tienden a ser más vulnerables a errores y latencias de lectura. Para superar tales limitaciones, Samsung ha incorporado un diseño de circuito de velocidad optimizada que le permite alcanzar la velocidad de transferencia de datos más rápida, por debajo de 450 microsegundos (μs) para operaciones de escritura y por debajo de 45 μs para lecturas. En comparación con la generación anterior, esto representa una mejora de más del 10 por ciento en el rendimiento, mientras que el consumo de energía se reduce en más del 15 por ciento. Gracias a este diseño de velocidad optimizada, Samsung podrá ofrecer soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas simplemente montando tres de las pilas actuales, sin comprometer el rendimiento o la confiabilidad del chip. Además, el número de agujeros de canal necesarios para crear una densidad de chip de 256 Gb ha disminuido a 670 millones de agujeros de más de 930 millones con la generación anterior, lo que permite tamaños de chip reducidos y menos pasos de proceso. Esto trae una mejora de más del 20 por ciento en la productividad de fabricación. Aprovechando las características de alta velocidad y baja potencia, Samsung planea no solo ampliar el alcance de su V-NAND 3D a áreas como dispositivos móviles de próxima generación y servidores empresariales, sino también al mercado automotriz donde la alta confiabilidad es extremadamente crítica. Luego de la presentación de la SSD de 250 GB, Samsung planea ofrecer una SSD V-NAND V-NAND de 512 Gb y eUFS en el segundo semestre de este año. La compañía también espera expandir la producción de soluciones V-NAND de sexta generación de mayor velocidad y mayor capacidad en su campus de Pyeongtaek (Corea) a partir del próximo año para satisfacer mejor la demanda de los clientes globales.


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