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Toshiba habla sobre la memoria flash de 5 bits por celda (PLC)


Toshiba en la Flash Memory Summit anunció que habían logrado desarrollar una solución de memoria de 5 bits por celda. Basado en sus tecnologías de memoria flash BiCS 4, la hazaña se logró utilizando un módulo modificado de memoria de celda de nivel cuádruple (QLC). Esto muestra que la tecnología no solo es factible, sino que tiene margen de mejora, ya que una tecnología QLC adaptada siempre será inferior a una solución de Penta-Level Cell (PLC) desarrollada de forma nativa.

Para lograr esta capacidad de almacenar un bit adicional de información por celda (en comparación con QLC), se requiere un nuevo nivel de refinamiento de voltaje: la celda debe poder cambiar su estado de acuerdo con uno de los 32 estados de voltaje, que, a su vez , deben ser leídos correctamente por el controlador de memoria flash. Esto reduce el rendimiento y la resistencia de la celda (al igual que cualquier aumento en el número de bits por celda), y requerirá una serie de soluciones para mitigar y compensar este rendimiento reducido. Sin embargo, la densidad se ha convertido en una preocupación creciente de los fabricantes, por lo tanto, el desarrollo continuo de estados de voltaje más profundos y variables que permiten almacenar aún más información en la misma área de silicio. Una densidad más alta significa soluciones más baratas, pero la densidad aumentada de tal manera ha conocido compensaciones de las que se ha hablado mucho desde la transición de la celda de nivel único (SLC) al QLC (hoy en día ubicuo).

Fuente: Tom's Hardware


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