AMD fabricará sus chips de E/S de nueva generación en Samsung 4nm, no en TSMC N4P

Ya en enero, cubrimos un informe sobre AMD diseñando sus CCDs «Zen 6» de próxima generación en un nodo de clase 3nm de TSMC, y desarrollando una nueva línea de troqueles de E/S de servidor y cliente (cIOD y sIOD). El troquel de E/S es una pieza crucial del silicio que contiene todos los componentes no centrales del procesador, incluidos los controladores de memoria, el complejo raíz PCIe y las interconexiones Infinity Fabric con los CCD y las conexiones multisocket. Por aquel entonces se informó de que estas matrices de E/S de nueva generación se estaban diseñando en el proceso de fabricación de silicio de 4 nm, que se interpretó como el nodo de clase 4 nm favorito de AMD, el N4P de TSMC, en el que la compañía construye todo, desde sus actuales procesadores móviles «Strix Point» hasta los CCD «Zen 5». Resulta que AMD tiene otros planes y está explorando un nodo de clase 4 nm de Samsung.

Es muy probable que este nodo sea el Samsung 4LPP, también conocido como SF4, que lleva produciéndose en masa desde 2022. La siguiente tabla muestra cómo se compara el SF4 con el N4P de TSMC y el 4 de Intel, donde aparece logrando un equilibrio entre ambos. También hemos añadido valores para el nodo TSMC N5, del que deriva el N4P, y se puede ver que el SF4 ofrece una densidad de transistores comparable a la del N5, y supone una mejora significativa en densidad de transistores con respecto al TSMC N6, que AMD utiliza para su actual generación de sIOD y cIOD. El nuevo nodo de 4 nm permitirá a AMD reducir el TDP del troquel de E/S, implementar una nueva solución de gestión de la energía y, lo que es más importante, la necesidad de un nuevo troquel de E/S está impulsada por la necesidad de actualizar los controladores de memoria que admiten mayores velocidades DDR5 y compatibilidad con nuevos tipos de DIMM, como CUDIMM, RDIMM con RCD, etc.

Fuentes: The Bell, Jukanlosreve (Twitter)