AMD quiere aprovechar la fundición de Samsung para el proceso GAAFET de 3 nm

Según un informe de KED Global, el gigante coreano de la fabricación de chips Samsung está intensificando sus esfuerzos para competir con gigantes mundiales como TSMC e Intel. La última alianza en el horizonte es la colaboración de AMD con Samsung. AMD planea utilizar la tecnología punta de 3 nm de Samsung para sus futuros chips. Más concretamente, AMD quiere utilizar los FET de puerta perimetral (GAAFET) de Samsung. Durante la ITF World 2024, la directora ejecutiva de AMD, Lisa Su, señaló que la compañía tiene intención de utilizar transistores GAA de 3 nm para sus futuros productos. La única empresa que ofrece GAAFET en un proceso de 3 nm es Samsung. De ahí que este informe de KED cobre mayor credibilidad.

Aunque no disponemos de información oficial, la utilización por parte de AMD de una segunda fundición como socio fabricante sería una primicia para la compañía en años. Este movimiento estratégico significa un cambio hacia el doble abastecimiento, con el objetivo de diversificar su cadena de suministro y reducir la dependencia de un único fabricante, anteriormente TSMC. Aún no sabemos qué productos concretos de AMD utilizarán GAAFET. AMD podría utilizarlos para CPU, GPU, DPU, FPGA e incluso aceleradores de centros de datos como la serie Instinct MI.

Fuentes: KED Global, vía Tom's Hardware