Antiguos ejecutivos y empleados de Samsung acusados de filtrar tecnología DRAM de 10 nm valorada en miles de millones de dólares a la empresa china CXMT.

Los ex empleados de Samsung se están convirtiendo rápidamente en un tamiz tecnológico al permitir que el CXMT de China obtenga acceso a tecnología crítica de semiconductores a través de una serie de fugas bien sincronizadas relacionadas con la propiedad intelectual.

Como ejemplo, pocos meses después de que un ex empleado de Samsung enfrentara una sentencia penal “más alta” por filtrar secretos de DRAM de 18nm a China, varios ex ejecutivos y empleados de Samsung ahora han estado implicados en la filtración de tecnología DRAM de 10nm a la CXMT de China.

Varios ex ejecutivos y empleados de Samsung ahora han sido acusados de equipar ilegalmente a la CXMT de China con secretos comerciales relacionados con la tecnología DRAM de 10nm

Según el informe de The Elec de Corea del Sur, el Departamento de Investigación de Delitos de Tecnología de la Información de la Oficina de Fiscales del Distrito Central de Seúl ahora ha arrestado a un actual director de Changshin Memory Technology (CXMT) de China por violar las reglas del país bajo la Ley de Protección de Tecnología Industrial.

Críticamente, el director de CXMT es un ex empleado de Samsung que se dice que ha desempeñado un papel crítico en el desarrollo de la tecnología DRAM de 10nm de CXMT. El departamento también ha arrestado a otras 4 personas que actualmente trabajan en CXMT.

Los fiscales alegan que CXMT había formado un plan elaborado para impulsar su proceso de DRAM de 10nm mediante la contratación de talento clave. Tenga en cuenta que, a diferencia del nodo de 10 nm utilizado en la fabricación de chips tradicional, el proceso de DRAM de 10 nm es muy competitivo, con el hínix SK solo comenzando la producción en masa bajo su proceso de DRAM de 10 nm de sexta generación para fines de 2024. Samsung invirtió 1.6 billones de wones ($ 1.08 mil millones) en 5 años para desarrollar su tecnología DRAM de 10 nm.

Los fiscales surcoreanos se esforzaron por señalar:

"CXMT, la primera y única compañía de semiconductores DRAM de China en la que el gobierno local de China invirtió 2,6 billones de wones, utilizó fraudulentamente la mejor tecnología nacional de semiconductores del mundo durante todo el proceso de desarrollo".

Durante el curso de su investigación, los fiscales descubrieron que un solo ex empleado de Samsung había "filtrado cientos de pasos de información de proceso, corregido y verificado la información", lo que llevó a la primera DRAM producida en masa con éxito en 2023. La investigación reveló además que CXMT utilizó una compañía líder para atraer y contratar a ex empleados de Samsung.

Otro ex empleado de Samsung, que se mudó a CXMT en 2016, filtró información voluminosa y escrita a mano sobre tecnología DRAM al gigante de la memoria china, según la reciente declaración de los fiscales.

Finalmente, los fiscales estiman que los daños a la posición competitiva de Corea del Sur ahora se ejecutan en los billones de wones (miles de millones de dólares) como resultado de estas filtraciones de alto perfil.

Esto se produce cuando el Tribunal Central de Distrito de Corea del Sur condenó al ex gerente del equipo de Samsung a 7 años de prisión por filtrar secretos comerciales relacionados con la tecnología DRAM de 18 nm a la CXMT de China en febrero de 2025.

Tenga en cuenta que CXMT es el mayor fabricante de semiconductores de memoria de China, que incluye productos de vanguardia como DDR5 y HBM3. A finales de 2025, la compañía podría producir hasta 280.000 obleas por mes, lo que corresponde a alrededor del 15 por ciento de la producción global de DRAM.

Fuente: Wccftech