ASML aumenta la potencia EUV a 1000 W para obtener mejores rendimientos y reducir los costes de los chips

ASML dice que ha aumentado la energía de la fuente de luz en sus sistemas de litografía EUV a 1.000 vatios, frente a aproximadamente 600 W en la actualidad. Según un informe de Reuters, la compañía afirma que el aumento podría permitir hasta un 50% más de producción de chips para fines de la década. Más potencia de fuente se traduce directamente en mayor rendimiento. ASML dice que los clientes podrían procesar alrededor de 330 Obleas Por hora para 2030, en comparación con alrededor de 220 obleas por hora hoy, reduciendo el costo por chip. La luz EUV a una longitud de onda de 13,5 nm se genera disparando un láser de CO2 a gotitas microscópicas de estaño fundido, creando plasma que emite radiación EUV. La luz se recoge y se dirige a través de la óptica de precisión suministrada por Carl Zeiss AG. Para alcanzar los 1.000 W, ASML duplicó la tasa de gotitas a aproximadamente 100.000 por segundo y se desplazó a un enfoque de conformación láser de dos pulsos en lugar de un solo pulso. La compañía dice que hay un camino hacia 1,500 W y potencialmente incluso 2,000 W con el tiempo.

ASML es el único proveedor de escáneres EUV comerciales, utilizados por los principales fabricantes de chips, incluidos TSMC, SK Hynix e Intel. Las herramientas se consideran críticas para la producción avanzada de nodos y han sido objeto de restricciones de exportación a China. La medida tiene como objetivo mantener el liderazgo de ASML como compañías estadounidenses, como Pat Gelsinger xLight EUV startup Y los esfuerzos chinos para desarrollar sistemas de litografía competitivos continúan aumentando. Empresas chinas Según se informa, han estado abasteciendo piezas de máquinas ASML más antiguas a través de mercados secundarios. Huawei está liderando la carga, trabajando para construir una cadena de suministro de inteligencia artificial de cosecha propia como una forma de evitar las restricciones tecnológicas extranjeras. La compañía estableció una gran planta de fabricación de semiconductores en Guanlan centrada en chips de 7 nm para sus propios procesadores. El gobierno chino inicialmente había tenido como objetivo tener un prototipo de trabajo de este esfuerzo para 2028.

Fuente: Reuters