CXMT inicia la producción de DRAM de 18,5 nm con una capacidad inicial de 100.000 obleas al mes, YMTC intensifica la I+D en medio de obstáculos

25 ene 2024
2 min de lectura
ChangXin Memory Technologies (CXMT) y Yangtze Memory Technologies (YMTC), principales proveedores chinos de DRAM y memoria flash NAND, respectivamente, están aplicando estrategias distintas para acelerar el desarrollo a pesar de las restricciones a la exportación impuestas por Estados Unidos. Fuentes de DigiTimes indican que CXMT ha iniciado la producción en masa de chips DRAM con proceso de 18,5 nm en su nueva planta de Hefei. Al superar ligeramente el límite estadounidense de 18 nm, CXMT pretende aumentar su capacidad al tiempo que cumple técnicamente las normas del Departamento de Comercio. La primera fase de la planta de Hefei está casi a pleno rendimiento, con una producción mensual de 100.000 obleas. La próxima ampliación de la segunda fase, que añadirá 40.000 obleas mensuales a finales de 2024, podría proporcionar a CXMT el 10% de la capacidad total de DRAM a escala mundial. Además, CXMT planea aumentar significativamente el aprovisionamiento nacional para la nueva expansión.






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