CXMT lanza memorias DDR5 G4 de 16 nm en kits comerciales DDR5-6000

TechInsights ha identificado los nuevos chips DRAM de 16 nm de CXMT en los módulos UDIMM DDR-6000 de Gloway, lo que confirma el avance de la industria china de memorias. El chip DDR5 de 16 Gb de CXMT mide 67 milímetros cuadrados con una densidad de 0,239 Gb por milímetro cuadrado. Las celdas DRAM G4 son un 20% más pequeñas que las de la anterior generación G3 de CXMT. Esto sigue la progresión de la empresa desde los nodos de 23 nm (G1) y 18 nm (G2). A pesar de este avance, CXMT sigue aproximadamente tres años por detrás de Samsung, SK Hynix y Micron en cuanto a capacidad de fabricación. La empresa, con sede en Hefei, logró este hito de producción bajo las sanciones estadounidenses que restringían el acceso a determinados equipos y materiales de fabricación, lo que le hizo retroceder años en la consecución de la producción de nodos de memoria avanzados.

TechInsights encontró estos chips en módulos de memoria disponibles en el mercado, lo que confirma la entrada de CXMT en la producción de DDR5. Se prevé que la tecnología DDR5 sea el principal estándar de memoria DRAM hasta 2027. Los tres principales fabricantes de DRAM han estado produciendo DDR5 a través de múltiples generaciones, con DDR5 alcanzando ahora velocidades de 10.000 MT/s. Este es el primer producto DRAM DDR5 de CXMT que llega al mercado de consumo. Los chips cumplen los requisitos básicos de compatibilidad con las especificaciones DDR5 actuales, lo que significa que la fábrica de memorias china ha conseguido fabricar memorias «1z» en su territorio. Esta es la segunda noticia importante para la industria china de semiconductores, justo después de que TechInsights confirmara también que YMTC ha empezado a distribuir NAND Flash de 292 capas. Dado que se prevé que la demanda nacional de memoria y almacenamiento siga siendo fuerte, nos preguntamos si la oferta superará a la demanda y permitirá que sobren algunos chips para su uso en todo el mundo.

Fuente: vía SCMP