El ITRI y TSMC colaboran en el avance de la computación de alta velocidad con SOT-MRAM

El Instituto de Investigación Tecnológica Industrial (ITRI) ha unido sus fuerzas con la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) para llevar a cabo una investigación pionera en el desarrollo de un chip de memoria magnética de acceso aleatorio con par orbital de espín (SOT-MRAM). Este chip de matriz SOT-MRAM muestra una innovadora arquitectura informática de memoria y presenta un consumo energético de sólo el uno por ciento de un producto de memoria magnética de acceso aleatorio de par de espín-transferencia (STT-MRAM). Sus esfuerzos de colaboración han dado como resultado un trabajo de investigación sobre este componente microelectrónico, que se presentó conjuntamente en la 2023 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2023), subrayando la naturaleza vanguardista de sus hallazgos y su papel fundamental en el avance de las tecnologías de memoria de próxima generación.

El Dr. Shih-Chieh Chang, Director General de los Laboratorios de Investigación de Sistemas Electrónicos y Optoelectrónicos del ITRI, destacó los logros de la colaboración entre ambas organizaciones. "Tras los artículos presentados en coautoría en el Simposio sobre Tecnología y Circuitos VLSI del año pasado, hemos seguido desarrollando conjuntamente una célula unitaria SOT-MRAM", declaró Chang. "Esta célula unitaria consigue simultáneamente un bajo consumo de energía y un funcionamiento a alta velocidad, alcanzando velocidades de hasta 10 nanosegundos. Y su rendimiento informático global puede mejorarse aún más si se integra con la informática en el diseño de circuitos de memoria". De cara al futuro, esta tecnología tiene potencial para aplicaciones en computación de alto rendimiento (HPC), inteligencia artificial (IA), chips de automoción y más."

La llegada de la IA, el 5G y la AIoT ha creado una importante demanda de procesamiento rápido, que requiere nuevas soluciones de memoria caracterizadas por una mayor velocidad, estabilidad y eficiencia energética. La exitosa colaboración entre el ITRI y TSMC no solo ilumina el camino hacia la tecnología de memoria de próxima generación, sino que también refuerza la ventaja competitiva internacional de Taiwán en el sector de los semiconductores.