El nodo 18A de Intel supera al N2 de TSMC y al SF2 de Samsung en rendimiento a 2 nm

En el nodo 18A de Intel no todo son rendimientos y densidad (que siguen siendo factores muy importantes), sino también rendimiento. Según el medio taiwanés 3C News, citando investigaciones y cálculos de TechInsights, el nuevo líder de rendimiento de nodos es Intel 18A. En una escala personalizada utilizada por TechInsights, Intel 18A obtiene una puntuación de 2,53, mientras que la puntuación de rendimiento de TSMC N2 es de 2,27 y la de Samsung SF2 es de 2,19. Todo ello entre nodos de clase de dos nm, donde Intel lidera la categoría. Al ser el primer nodo con una red de suministro de energía trasera (BSPDN), aparecerá en las CPU Panther Lake a finales de 2025 para las pruebas y a principios de 2026 para los envíos. Esta nueva arquitectura de alimentación aumenta la eficiencia del diseño y la utilización de componentes entre un 5 y un 10%, reduce la resistencia de la interconexión y mejora el rendimiento energético ISO hasta en un 4%, gracias a un descenso significativo de la resistencia intrínseca frente al enrutamiento de alimentación frontal tradicional. En comparación con su predecesor, Intel 3, el proceso 18A ofrece una mejora del 15% en el rendimiento por vatio y contiene un 30% más de transistores en la misma superficie.

Con diseño RibbonFET, ha entrado en producción de riesgo. Según Intel, «En esta fase final se trata de probar la fabricación en volumen antes de escalar a gran volumen en la segunda mitad de 2025.» En cuanto a otros aspectos como la densidad de la SRAM, las celdas SRAM de alto rendimiento se redujeron de 0,03 µm² en Intel 3 a 0,023 µm² en Intel 18A, mientras que las celdas de alta densidad se contrajeron a 0,021 µm², lo que refleja factores de escalado de 0,77 y 0,88 respectivamente y desafía las suposiciones anteriores de que el escalado de la SRAM se había estancado. El innovador enfoque PowerVia «alrededor de la matriz» de Intel aborda las caídas de tensión y las interferencias dirigiendo las vías de alimentación a los circuitos de E/S, control y decodificación, liberando el área de la celda de bits de las fuentes de alimentación frontales. El resultado es una macrodensidad de bits de 38,1 Mbit/mm², lo que sitúa a Intel a la altura del N2 de TSMC. Todo esto, combinado con BSPDN, está dando forma a un potente nodo. Estamos impacientes por tener en nuestras manos algo de silicio 18A en el futuro y probarlo en nuestros laboratorios.

Fuente: 3C News