El nodo Intel 14A mejora en un 15% al 18A y el A14-E añade otro 5%.

Intel está renovando sus actividades de fundición, y la empresa se ha fijado el objetivo de convertirse en un fuerte competidor de rivales como TSMC y Samsung. Bajo la dirección de Pat Gelsinger, Intel dividió recientemente (prácticamente, bajo la misma empresa) sus unidades en Intel Product e Intel Foundry. Durante la conferencia de óptica y fotónica SPIE 2024, Anne Kelleher, vicepresidenta sénior de Intel, reveló que el proceso 14A (1,4 nm) ofrece una mejora del 15% en el rendimiento por vatio con respecto al proceso 18A (1,8 nanómetros) de la empresa. Además, el proceso 14A-E mejorado supone un aumento adicional del rendimiento del 5% con respecto al nodo A14 normal, ya que se trata de una pequeña actualización. El proceso 14A de Intel será el primero en utilizar equipos de ultravioleta extremo (EUV) de alta AN, lo que supondrá un aumento del 20% en la densidad lógica de transistores en comparación con el nodo 18A.

La agresiva búsqueda de procesos de nueva generación por parte de la empresa supone una importante amenaza para Samsung Electronics, que actualmente ocupa la segunda posición en el mercado de la fundición. Como parte de su estrategia IDM 2.0, Intel espera recuperar su posición de líder en fundición y superar a Samsung para 2030. La colaboración de la empresa con compañías estadounidenses, como Microsoft, consolida aún más sus ambiciones. Intel ya se ha asegurado un contrato de producción de chips de 15.000 millones de dólares con Microsoft para su proceso 18A de 1,8 nm. El sector de los semiconductores sigue muy de cerca los progresos de Intel, ya que sus avances en la tecnología de procesos podrían reconfigurar el panorama competitivo. Con Samsung planeando fabricar en serie productos con procesos de 2 nm el año que viene, la carrera por la hegemonía en el mercado de la fundición se recrudece.

Fuentes: SeDaily, vía Wccftech