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FMS 2025: SK hynix presenta el futuro de la IA y el almacenamiento a través de una innovadora muestra tecnológica.

  • Foto del escritor: Masterbitz
    Masterbitz
  • 8 ago 2025
  • 5 Min. de lectura

SK Hynix presentó sus soluciones de memoria DRAM, NAND y AI de vanguardia en FMS: the Future of Memory and Storage 2025 en Santa Clara, California del 5 al 7 de agosto, reforzando su liderazgo de memoria global.

Ahora en su decimonoveno año, FMS, anteriormente conocido como Flash Memory Summit, renombró en 2024. Adoptó el nombre del Futuro de la Memoria y el Almacenamiento para reflejar la influencia transformadora de la era de la IA. El alcance del evento también se amplió de centrarse únicamente en la memoria flash a cubrir todo el espectro de tecnologías de memoria y almacenamiento, incluyendo DRAM.

   

Como parte de su viaje para convertirse en un proveedor de memoria de IA apilada completa, SK Hynix mostró una variedad de productos de memoria y tecnologías avanzadas diseñadas para alimentar la innovación de IA de próxima generación. La compañía destacó eficazmente estas soluciones de memoria y almacenamiento a través de un enfoque unificado que incluye discursos de apertura, presentaciones en profundidad y exhibiciones atractivas. Esto permitió a los socios globales experimentar el liderazgo tecnológico de SK Hynix de primera mano, fortaleciendo la colaboración entre ellos.

  

En la cabina: una amplia cartera de memoria optimizada para la era de la IA

Los productos exhibidos de SK Hynix se anticipan para liderar el mercado global de memoria de IA a través de todo el espectro de tecnologías DRAM y NAND. Había 14 productos basados en DRAM en exhibición, incluyendo muestras del HBM4 de 12 capas de la compañía, que fueron entregados a los principales clientes en marzo de 2025 por primera vez en la industria. Otros aspectos destacados fueron LPDDR5X, CXL Memory Module-DDR5 (CMM-DDR5), 3DS RDIMM y Tall MRDIMM.


La compañía también presentó un total de 19 productos de solución NAND. Entre ellos, el PS1010 E3. S, un eSSD de centros de datos basado en el 4D NAND de 176 capas; el PEB110 E1. S construido en 238 capas 4D NAND; el PQC21, el primer QLC de SK Hynix para PCs; y el PS1101 E3. L, un centro de datos de nueva versión eSSD con una capacidad de 245 TB más alta de la industria.


En FMS 2025, SK Hynix enfatizó sus capacidades tecnológicas y su ventaja competitiva con demostraciones de productos en vivo y vitrinas. Una demostración involucró al procesador Intel Xeon 6 equipado con CMM-DDR5 de SK Hynix, que ofrece un máximo de 50% de mayor capacidad y hasta un 30% más de ancho de banda de memoria en los sistemas básicos de servidores. La demo destacó no sólo la aplicabilidad práctica de CMM-DDR5 en operaciones del mundo real, sino también su escalabilidad del sistema, enfatizando su rendimiento superior y eficiencia de costos sobre las configuraciones tradicionales de memoria independiente.

   

SK Hynix está actualmente enfrascado en un proyecto de investigación conjunto con Los Alamos National Laboratory (LANL) para desarrollar tecnologías de almacenamiento de próxima generación que mejoran el desempeño del análisis de datos en entornos de computación de alto rendimiento (HPC). Durante la demostración, SK Hynix presentó su almacenamiento computacional OASIS, basado en la CDS consciente de los datos, que puede realizar análisis y detección de datos independientes. Utilizando verdaderas cargas de trabajo de HPC para mostrar un mejor desempeño de análisis de datos en tiempo real, la presentación cautivó a numerosos asistentes.

 

 

Otra demostración contó con productos PIM como GDDR6-AiM. Este producto añade funciones computacionales a GDDR6, que ofrece una velocidad de procesamiento de datos de 16 gigabits por segundo (Gbps). Cuando se combina con una CPU o GPU, GDDR6-AiM puede hacer cálculos hasta 16 veces más rápido en condiciones específicas. Otro producto demostrado que puede acelerar las velocidades computacionales es AiMX, una tarjeta aceleradora de alto rendimiento capaz de manejar eficientemente datos a gran escala con bajo consumo de energía.

 

Finalmente, la demostración de la máquina de IA centrada en la memoria presentó un sistema de inferencia LLM distribuido que conectaba varios servidores y GPUs utilizando memoria mancomunada. La demostración mostró cómo el apalancamiento de la comunicación basada en datos basado en la memoria de CXL puede mejorar significativamente el rendimiento de los sistemas de inferencia de LLM en comparación con los sistemas que utilizan la comunicación de red.

Discurso de apertura: Resaltando el liderazgo en la infraestructura de la AI del próximo genio

Los empleados de SK Hynix fueron oradores clave en el FMS 2025, pronunciaron un discurso de apertura, uniéndose a un panel ejecutivo de AI organizado por NVIDIA, y dando un total de 13 presentaciones. Al compartir sus conocimientos de la industria a través de estas sesiones, la compañía demostró su posición como líder global impulsando el mercado de memoria de IA de próxima generación.

  

El vicepresidente Chunsung Kim, de eSSD Product Development, y el vicepresidente Joonyong Choi de HBM Business Planning pronunciaron conjuntamente el discurso principal "Donde empieza AI: Full Stack Memory Redefining the Future". Durante la presentación, Kim enfatizó la importancia de la evolución de la tecnología de memoria a medida que la industria de la IA pasa de la formación a la inferencia. Agregó que las soluciones de almacenamiento de SK Hynix están diseñadas para proporcionar acceso rápido y confiable a cargas de trabajo intensivas en datos en escenarios de inferencia de IA.

Mientras tanto, Choi señaló que HBM puede satisfacer diversas necesidades de los clientes ya que ofrece las ventajas estructurales de alto ancho de banda con bajo consumo de energía. Añadió que SK Hynix ofrecerá una cartera de memoria completa optimizada para varios entornos de IA para cumplir con los dos factores críticos que moldean la escalabilidad y la TCO de sistemas de IA.

   

 

Durante el evento de tres días, los representantes de SK Hynix ofrecieron presentaciones perspicaces sobre temas clave que impulsan el mercado de IA de próxima generación. Los temas incluían tecnología de memoria e infraestructura escalable; avances de memoria no volátiles y de alta eficiencia; infraestructura de IA y optimización de la capacitación LLM; análisis de datos y gobernanza; y gestión de talento impulsada por IA.

  

El vicepresidente Sunguk Kang, jefe de la tecnología DRAM de SK Hynix America, se unió a la mesa ejecutiva del panel de IA "Memory and Storage Scaling for AI Inferencing", organizada y moderada por NVIDIA. Durante el panel, hizo comentarios en profundidad sobre las tendencias y estrategias tecnológicas de IA para la colaboración interprofesional. Esto incluyó sus pensamientos de que, si bien el ancho de banda crudo es crítico para el entrenamiento de IA, la inferencia de IA requiere soluciones inteligentes de memoria y almacenamiento que la superen. Kang también enfatizó que las tecnologías de redes y memoria inteligentes de ultra alto rendimiento pueden aumentar significativamente el rendimiento de la IA.


En FMS 2025, SK Hynix destacó su excepcional experiencia tecnológica en memoria y almacenamiento a través de una amplia gama de productos innovadores. Para abordar las necesidades cambiantes de la sociedad actual impulsada por IA, la compañía está comprometida con la inversión en curso en investigación y desarrollo, fortaleciendo aún más su liderazgo en memoria de IA en tecnologías DRAM y NAND.


Fuente: SK hynix

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