Forge Nano transforma la fabricación avanzada de chips semiconductores con recubrimientos de deposición atómica de alta velocidad con una relación de aspecto de 1000:1.

Forge Nano, Inc., una compañía de tecnología pionera en innovaciones nacionales de baterías y semiconductores, anunció hoy un avance que redefine fundamentalmente la economía y la arquitectura de la fabricación avanzada de semiconductores. La compañía ha demostrado recubrimientos de deposición de capa atómica (ALD) de alta velocidad y libre de defectos en características de semiconductores en una relación de aspecto de 1000:1. La conformidad se mantiene a escala de producción al tiempo que proporciona cobertura en características de 2 órdenes de magnitud mayores que las técnicas de línea de visión.

Este avance elimina la restricción primaria que ha limitado la escala de semiconductores en 3D y permite arquitecturas que antes se consideraban antieconómicas o imposibles. La demostración se realizó en obleas representativas de la producción suministradas por C2MI, un centro líder en desarrollo de procesos de semiconductores e innovación de fabricación en Canadá, con conformidad, defectividad y rendimiento eléctrico validados de forma independiente a través de las pruebas internas de metrología y confiabilidad del socio.

Tecnología Revolucionaria, Resultados Revolucionarios

Mientras que la industria de ALD generalmente se basa en procesos de flujo laminar, Forge Nano ha desarrollado un enfoque de flujo turbulento patentado que desbloquea el rendimiento previamente inalcanzable en ALD de alta velocidad. Aprovechando su tecnología de plataforma de recubrimiento Atomic Armor y las herramientas de producción TEPHRA de próxima generación, Forge Nano logró recubrimientos ALD conformales en características extremas a nanoescala, un régimen donde las técnicas de deposición convencionales fallan y otras herramientas ALD luchan con el rendimiento. El proceso de recubrimiento Atomic Armor ALD de Forge Nano también se ha demostrado a 10x la velocidad de las capacidades de recubrimiento competitivas para recubrimientos de alta relación de aspecto, los procesos más limitantes de rendimiento y costo de la industria.

"Los chips de inteligencia artificial y los dispositivos apilados en 3D exponen los eslabones más débiles de la industria: interfaces, defectos y contaminación", dijo Paul Lichty, CEO de Forge Nano. "Al lograr lo que la industria consideraba imposible: ALD conformal de alta velocidad a 1000:1 con un rendimiento a escala de producción, hemos eliminado fundamentalmente el cuello de botella primario que limita la próxima generación de arquitecturas de semiconductores. Solo el flujo turbulento puede desbloquear las relaciones de aspecto ultra altas críticas a las arquitecturas 3D. No solo estamos mejorando el proceso, estamos cambiando toda la ecuación de cómo se pueden fabricar semiconductores avanzados".

Romper la restricción que dio forma a una década de diseño de chips

En los nodos semiconductores de vanguardia de hoy en día, ALD ya es uno de los pasos más lentos y de mayor costo en la fábrica. Estas pérdidas de productividad solo se toleran porque no existe una alternativa viable.

El avance de Forge Nano cambia esa ecuación por completo al ofrecer simultáneamente una conformalidad de relación de aspecto de 1000:1, uniformidad y velocidad de película de calidad ALD. Esta es una de las raras innovaciones de semiconductores que puede mejorar el rendimiento, el rendimiento y el costo simultáneamente.

Memoria 3D NAND: Una nueva hoja de ruta

Los dispositivos NAND de producción actual cuentan con 200-300 capas. Ir más allá de esto ha requerido procesos cada vez más complejos y un fuerte aumento de los costos. Mantener un alto rendimiento para una mayor fabricación de la relación de aspecto permitirá una memoria flash 3D NAND de mayor densidad para aplicaciones informáticas avanzadas.

DRAM y HBM: Rompiendo la pared del condensador

Para la memoria DRAM y la memoria de alto ancho de banda (HBM) crítica para los aceleradores de IA, el escalado de condensadores es el factor limitante. Fast 1000:1 ALD permite condensadores más profundos con dieléctricos más delgados y uniformes, extendiendo la escala de DRAM más allá de los nodos que muchos expertos esperaban que fueran la "pared del condensador".

Mejora de materiales en Fab Economics

ALD hoy en día es uno de los pasos más altos de costo por oblea en la fabricación de semiconductores, lo que contraviene con frecuencia la salida de fabulidad y obliga a las compras duplicadas de herramientas exclusivamente por capacidad.

Un proceso rápido de 1000:1 AR ALD puede entregar:

• El aumento de la oblea comienza por día

• Capex reducido por nodo

• Mejora de la eficiencia energética y precursora

• Menor costo por bit (memoria)

• Eliminación del cuello de botella de ALD que actualmente acelera las transiciones de nodo

Implicaciones que cambian la industria

Este avance representa un cambio a nivel de plataforma en la fabricación de semiconductores:

• Libertad arquitectónica: Permite diseños considerados antes poco económicos o imposibles

• Dinámica competitiva: cambia el poder hacia los fabricantes que adoptan esta tecnología primero

• Significación estratégica: crea capacidades relevantes para la seguridad nacional en la producción avanzada de semiconductores

• Posicionamiento en el mercado: establece un nuevo líder de categoría en la tecnología de deposición más crítica para chips de próxima generación

Al combinar la conformalidad de la relación de aspecto extremo con el rendimiento a escala de producción, Forge Nano está redefiniendo lo que es posible en el diseño avanzado de chips y posicionando Atomic Armor ALD como una tecnología fundamental para el futuro de la IA y los dispositivos integrados en 3D.

Fuente: Forja Nano