G.Skill anuncia el kit de memoria R-DIMM overclockeado T5 Neo Series DDR5-6400 CL38 de 512 GB (64 GB x 8)
24 jul 2025
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G.SKILL International Enterprise Co., Ltd., la marca líder mundial de memoria de reloj superior al rendimiento y componentes de PC, está encantada de anunciar el lanzamiento de su última serie T5 Neo de alto rendimiento DDR5-6400 CL38 512 512 GB (64 GB x8) sobrebloqueada solución de memoria DDR5 R-DIMM. Específicamente diseñado para procesadores de la serie AMD Ryzen Threadripper PRO y placas base de chipset AMD WRX90 compatible, este kit de memoria T5 Neo DDR5 R-DIMM aprovecha la tecnología de overclocking de memoria AMD EXPO y un diseño PCB de 16 capas de alta calidad para ofrecer una velocidad excepcional, alta capacidad de kit y fiabilidad para estaciones de trabajo profesionales.
Con una capacidad de kit total de 512 GB en ocho módulos de 64 GB, el kit de memoria de la serie T5 Neo se construye para satisfacer las demandas de cargas de trabajo intensivas. A partir de la formación de modelos de IA, análisis de datos a gran escala, simulaciones de gran intensidad de memoria, aplicaciones profesionales y creación de contenido de alta resolución, esta configuración de memoria de alta capacidad permite a los profesionales trabajar con conjuntos de datos significativamente más grandes, por lo que es la opción ideal para estaciones de trabajo de próxima generación que requieren tanto un ancho de banda excepcional como una capacidad expansiva para acelerar la productividad. Consulte las imágenes de abajo para la validación Memtest en la placa base ASUS Pro WS WS WX90-SAGE SE con el procesador AMD Ryzen Threadripper PRO 9945WX.
PCB de 16 capas primas para una mejor integridad de señalización
Los módulos G.SKILL T5 Neo serie DDR5 R-DIMM se construyen con un diseño PCB de 16 capas, una mejora significativa con respecto a los diseños anteriores de 8 o 10 capas. El aumento en el conteo de capas PCB mejora la integridad de la señal para una mayor fiabilidad y estabilidad en la transmisión de datos bajo cargas de trabajo de alto rendimiento o sobrebloqueadas - lo que la convierte en una opción ideal de memoria DDR5 R-DIMM para aplicaciones informáticas de alto rendimiento en estaciones de trabajo de alta gama.
Protección de tensión mejorada con TVS y Fuse Añadidas
Salvaguardante contra niveles de potencia irregulares, cada uno de los módulos DDR5 de la serie DDR5 R-DIMM de G.SKILL está equipado con dos diodos de TVS bidireccionales y un fusible para asegurar que se mantengan los niveles de tensión sostenidos y proteja el módulo de memoria contra picos de alimentación. Estas capas adicionales de protección sirven para permitir una estabilidad y fiabilidad óptimas, haciendo que la nueva memoria G.SKILL T5 Neo serie DDR5 R-DIMM sea la última opción para cargas de trabajo críticas y sistemas informáticos de alto rendimiento de próxima generación.
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