Imec demuestra el uso de estructuras lógicas y DRAM mediante litografía EUV de alta resolución NA

Imec, centro líder mundial en investigación e innovación en nanoelectrónica y tecnologías digitales, presenta estructuras con patrones obtenidas tras la exposición con el escáner EUV de 0,55NA en el laboratorio conjunto ASML-imec High NA EUV Lithography Lab de Veldhoven (Países Bajos). Tras una única exposición, se imprimieron estructuras lógicas aleatorias de hasta 9,5 nm (paso de 19 nm), vías aleatorias con una distancia entre centros de 30 nm, características 2D con un paso de 22 nm y un diseño específico de DRAM a P32 nm, utilizando materiales y procesos de base optimizados para High NA EUV por imec y sus socios en el marco del Advanced Patterning Program de imec. Con estos resultados, el imec confirma que el ecosistema está preparado para permitir la litografía EUV de alta resolución y NA de exposición única.

Tras la reciente apertura del laboratorio conjunto ASML-imec High NA EUV Lithography Lab en Veldhoven (Países Bajos), los clientes tienen ahora acceso al escáner (TWINSCAN EXE:5000) High NA EUV para desarrollar casos de uso privados de High NA EUV aprovechando las propias reglas de diseño y disposiciones del cliente.

Imec ha estampado con éxito estructuras lógicas aleatorias de exposición única con líneas metálicas densas de 9,5 nm, correspondientes a un paso de 19 nm, consiguiendo dimensiones de punta a punta inferiores a 20 nm. Las vías aleatorias con una distancia entre centros de 30 nm mostraron una excelente fidelidad de patrón y uniformidad de dimensiones críticas. Además, las características 2D con un paso de P22 nm mostraron un rendimiento extraordinario, lo que pone de manifiesto el potencial de la litografía de alta AN para permitir el enrutamiento 2D.

Más allá de las estructuras lógicas, imec ha obtenido con éxito, en una sola exposición, diseños que integran la plataforma de aterrizaje del nodo de almacenamiento con la periferia de la línea de bits para DRAM. Este logro subraya el potencial de la tecnología High NA para sustituir la necesidad de varias capas de máscara por una sola exposición.

Estos revolucionarios resultados son el resultado de un intenso trabajo preparatorio realizado por imec y ASML, en estrecha colaboración con sus socios, para preparar el ecosistema de patronaje y la metrología para la primera generación de litografía EUV de alta resolución. Antes de las exposiciones, imec preparó pilas de obleas específicas (incluidos resistivos avanzados, capas subyacentes y fotomáscaras) y transfirió al escáner EUV de 0,55 NA los procesos básicos de EUV de alta apertura (como la corrección óptica de proximidad (OPC) y las técnicas integradas de patronaje y grabado).

Steven Scheer, vicepresidente senior de tecnologías y sistemas informáticos / escalado de sistemas informáticos del imec: "Estamos encantados de demostrar en el laboratorio conjunto ASML-imec el primer prototipado de memoria y lógica con alta AN del mundo como validación inicial de las aplicaciones industriales. Los resultados ponen de manifiesto el potencial único de la EUV de alta apertura numérica para permitir la obtención de imágenes en una sola impresión de características 2D a escala agresiva, mejorando la flexibilidad del diseño y reduciendo el coste y la complejidad del patronaje. De cara al futuro, esperamos proporcionar información valiosa a nuestros socios del ecosistema de patronaje, ayudándoles a perfeccionar los materiales y equipos específicos para la EUV de alta apertura".

Luc Van den hove, presidente y director general del imec: "Los resultados confirman la capacidad de resolución prevista desde hace tiempo de la litografía EUV de alta apertura, que permite obtener capas metálicas con un paso inferior a 20 nm en una sola exposición. La EUV de alta apertura será, por tanto, de gran utilidad para continuar el escalado dimensional de las tecnologías lógicas y de memoria, uno de los pilares clave para impulsar las hojas de ruta hacia la "era del angstrom". Estas primeras demostraciones sólo han sido posibles gracias a la creación del laboratorio conjunto ASML-imec, que ha permitido a nuestros socios acelerar la introducción de la litografía de alta resolución en la fabricación".

Fuente: Imec