Infineon iniciará la producción de obleas de GaN de 300 mm cuando TSMC abandone el mercado

Infineon ha anunciado que su producción de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) va según lo previsto, confirmando que su fábrica de obleas de 300 mm entregará muestras a los clientes en el cuarto trimestre de 2025. El fabricante alemán de semiconductores se convierte así en la primera empresa que integra con éxito la tecnología de obleas de GaN de 300 mm en su actual infraestructura de producción de gran volumen, logrando un rendimiento de chips por oblea 2,3 veces superior al de los procesos convencionales de 200 mm. Infineon planea capitalizar el crecimiento anual previsto del mercado del 36%, con aplicaciones de potencia GaN que se espera alcancen los 2.500 millones de dólares en 2030, según un análisis del Grupo Yole. El momento resulta especialmente estratégico, ya que TSMC ha anunciado sus planes de cerrar sus líneas de producción de GaN y desmantelar instalaciones en un plazo de dos años, lo que creará un importante vacío en el mercado.

El nuevo anuncio aborda un reto fundamental de la industria: aumentar la producción de GaN manteniendo la competitividad de costes con las alternativas de silicio. El modelo de fabricante de dispositivos integrados (IDM) de Infineon proporciona un control completo del proceso, desde la fabricación de la oblea hasta la entrega del producto final, lo que permitirá lo que la empresa prevé que será la paridad de costes entre dispositivos comparables de silicio y GaN. Johannes Schoiswohl, director de la línea de negocio de GaN, ha destacado que la fabricación a escala de 300 mm aprovecha las inversiones en infraestructura existentes en Infineon, al tiempo que permite una rápida expansión de la capacidad para aplicaciones emergentes, como fuentes de alimentación de sistemas de IA, sistemas de carga de automóviles y control de motores industriales. La retirada estratégica de TSMC de la fabricación de GaN indica que la empresa sigue centrándose en los procesadores lógicos de alto margen, dejando que empresas especializadas en semiconductores de potencia como Infineon dominen el mercado en expansión de GaN. En este mercado, la mayor densidad de potencia, velocidad de conmutación y rendimiento térmico del GaN ofrecen ventajas cuantificables a nivel de sistema frente a las soluciones tradicionales basadas en silicio.

Infineon GaN

Fuentes: Infineon, DigiTimes, vía HardwareLuxx