Informe: Las líneas de 4 nm de Samsung funcionan a pleno rendimiento, ya que los chips HBM4 absorben hasta el 60 % de la producción de la fundición

Con la alta demanda de memoria de alto ancho de banda (HBM) superando el suministro, Samsung Electronics ha asignado más del 50% de su capacidad de 4 nanómetros para hacer los chips de memoria. El informe es cortesía de ZDNet Korea, y se refiere a la matriz base para los chips de memoria. A diferencia de los módulos HBM DRAM, que se fabrican con nodos de fabricación personalizados, la matriz base se fabrica utilizando tecnologías utilizadas para construir chips lógicos.

Samsung Tiene Como Objetivo Expandir La Producción De Chips De Memoria HBM4 En El Tercer Trimestre De 2026, Según Un Informe

Como parte de su cobertura, ZDNet cotiza fuentes de dentro y fuera de Samsung para comentar que a partir del mes pasado, el 50% de la capacidad de fabricación de chips de 4 nanómetros de la empresa estaba reservada para los chips de memoria HBM4. La publicación llega a comentar que el proceso de 4 nanómetros está funcionando actualmente a plena capacidad, con un 50% a 60% de la producción que se contabiliza por los fallos de base de chip de memoria HBM4.

El papel de Samsung en la industria global de fabricación de semiconductores le proporciona el papel único para poder diseñar su DRAM y chips de matriz base. La evolución de la producción de memoria ha colocado una carga mayor sobre los chips de matriz base que se encuentran en la parte inferior de las capas de DRAM apiladas en la parte superior como parte de la pila de HBM.

El informe de hoy describe que Samsung está produciendo en masa productos en sus tecnologías, que van desde los procesos de fabricación de 4 nanómetros hasta los 7 nanómetros. La producción está en curso en el Pyeongtaek Campus 2 y Campus 3, con las líneas de fundición S5 y S6 que se utilizan. La capacidad total para el proceso de 4 nanómetros en estas instalaciones es de 30.000 obleas por mes, de las cuales 15.000 son para los troqueles de base HBM4.

El informe sigue a uno de agosto, que había afirmado que Samsung también estaba considerando el uso de su tecnología de 2 nanómetros para los troqueles de base HBM. El informe también era de ZDNet, y había afirmado que la empresa estaba interesada en reutilizar una línea de producción en el distrito industrial de Giheung. El informe había agregado que los troqueles base HBM de 2 nanómetros podrían reservarse específicamente para los chips diseñados para el gigante de chips de IA NVIDIA Corporation.

El cambio al uso de procesos de fundición lógica para la matriz de base de HBM comenzó con los productos HBM3 y HBM3E. Estos chips requerían tecnologías avanzadas debido a las mayores velocidades de datos y velocidades de pin. Mientras que Samsung confía en las tecnologías internas para el dado base, SK hynix ha subcontratado su producción a TSMC, mientras que se cree que Micron está utilizando un proceso personalizado.

Fuente: Wccftech