Innosilicon envía a sus clientes módulos LPDDR6 que funcionan a 14,4 Gbps.

Según los informes, Innosilicon ha comenzado a enviar sus módulos de memoria LPDDR6, que ofrecen una velocidad impresionante de 14,4 Gbps. Esto es significativamente más rápido que los módulos LPDDR6 iniciales de Samsung, que alcanzan velocidades de datos de 10.7 Gbps. Los módulos de Innosilicon proporcionan un aumento de 1.5x en la capacidad de velocidad de IO en comparación con los 9.6 Gbps de LPDDR5X que la compañía ofrecía anteriormente, y mejoran significativamente la eficiencia. La última LPDDR6 también aumenta el número de bits por byte de IO de 8 bits a 12 bits. Esto da como resultado que el ancho de banda de LPDDR6 a una velocidad de E/S de 24 bits de un solo canal sea el doble que el de LPDDR5X en un solo canal de 16 bits. Según los informes, la compañía ha preparado la fabricación colaborativa con TSMC y Samsung para asegurar la capacidad suficiente para la producción de IP de LPDDR6.

Como una de las principales implementaciones de LPDDR6, este movimiento desafía directamente a competidores como Samsung, SK Hynix y Micron, que también presentan sus soluciones LPDDR6 a los clientes pero no están ansiosos por enviar gran parte de la capacidad al principio del ciclo de vida de LPDDR6. Además, la especificación JEDEC enumera LPDDR6 que funciona a una velocidad máxima de 14,4 Gbps por pin, que Innosilicon ha apuntado desde el principio. Esto contrasta con El enfoque de Samsung, que ha desarrollado una memoria LPDDR6 de 10,7 Gbps en un nodo de 12 nm, alcanzando su punto máximo a la misma velocidad que su LPDDR5X anterior. Sin embargo, Samsung enfatiza la eficiencia energética como el principal punto de venta de estos primeros módulos, reclamando una mejora del 21% en la eficiencia energética sobre su predecesor. Queda por ver qué clientes de IP elegirán, y la disponibilidad de módulos listos para usar sin duda influirá en la decisión final.

 

Fuentes: Innosilicon, vía VideoCardz