Intel Foundry alcanza un hito con un millón de obleas EUV de alto NA

Intel ha procesado oficialmente un millón de obleas de silicio de 300 mm utilizando la litografía High Numerical Aperture (High NA) Extreme Ultraviolet (EUV), según confirmó la compañía ayer. El uso de High-NA en la fabricación de silicio presenta muchos desafíos debido a la complejidad adicional que introduce, pero para Intel, lo contrario es cierto. Inicialmente, Intel instaló los sistemas TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV de ASML en 2024 para la investigación y las pruebas del nodo 14A. Sin embargo, desde entonces, Intel ha encontrado formas más útiles de emplear herramientas de High-NA más allá del nodo 14A, extendiendo su uso al nodo 18A, que anteriormente se creía exclusivo de 14A.

Para un subconjunto seleccionado de SKUs "Panther Lake", Intel está grabando unas pocas capas de silicio utilizando la exposición de alta NA, en lugar de confiar únicamente en Low-NA. Además, Intel está ofreciendo esta configuración de Alta NA a clientes externos, ya que también podría ser beneficioso para ellos. En colaboración con ASML, Intel ha completado las pruebas de aceptación en Intel Foundry para su nodo 14A para mejorar la salida de la oblea. Esto se hace utilizando TWINSCAN EXE:5200B, que es la segunda versión de ASML de los escáneres High-NA EUV, después del TWINSCAN EXE:5000 que Intel utilizó inicialmente para su prueba 14A. Intel informó previamente el procesamiento de más de 30.000 obleas en un solo trimestre, logrando una fabricación simplificada al reducir los pasos necesarios para una capa específica de 40 a menos de 10, lo que resulta en tiempos de ciclo significativamente más rápidos.

Actualmente, Intel sigue siendo la única empresa que fabrica activamente silicio utilizando la litografía de alta NA EUV. TSMC afirma que puede mantener una ventaja competitiva utilizando la tecnología EUV de baja NA existente, reduciendo los nodos de escala e introduciendo mejoras con cada generación. Según los informes, Samsung Foundry está retrasando la introducción de High-NA EUV hasta 2030 para su nodo de 1 nm, por lo que todavía estamos a unos años de ver a toda la industria cambiar a la litografía de High-NA. Las herramientas de baja NA también son la mitad del precio de los principales sistemas de alta NA EUV. La máquina EUV de alta NA más avanzada de ASML cuesta alrededor de $ 400 millones, que es una pieza de maquinaria increíblemente cara, incluso para una fábrica de semiconductores moderna.

Fuente: Intel