Intel Foundry combina semiconductores de GaN y silicio en un único chip de gran delgadez

Intel Foundry ha estado entregando algunas investigaciones interesantes últimamente, y la última entrega es el chiplet de nitruro de galio (GaN) más delgado del mundo, con el silicio base que mide solo 19 micrómetros de grosor. La compañía fabricó una oblea de 300 milímetros de GaN sobre silicio, que es una de las primeras combinaciones de GaN con la lógica de silicio tradicional en un solo chip. En las configuraciones de fabricación tradicionales, GaN está reservado para la electrónica de potencia y no se mezcla con la lógica computacional basada en silicio. Sin embargo, Intel ha logrado combinar los semiconductores GaN para la entrega de energía con la lógica de computación basada en silicio, lo que significa que los chips de potencia ahora pueden realizar cálculos básicos y acciones por su cuenta, sin necesidad de un chip separado para dictar el comportamiento.

Intel fabricó la oblea GaN con silicio combinado en el proceso de 30 nm, que supuestamente demostró excelentes propiedades. Esto incluye transporte de corriente estable, pérdida de potencia muy baja y la capacidad de bloquear tensiones de hasta 78 V sin fugas. Lo que es fascinante es que GaN se utiliza generalmente para aplicaciones de banda ancha, con un rendimiento de alta radiofrecuencia superior a 300 GHz. GaN también proporciona una mejor entrega de energía debido a sus propiedades de material superiores y funciona de manera más estable a temperaturas más altas. Esto es especialmente significativo para cargas de trabajo como vehículos eléctricos o entrega de punto de carga del centro de datos, donde el espacio es limitado, las temperaturas pueden alcanzar aproximadamente 150 ° C y la estabilidad es crucial.

Finalmente, Intel utilizó una combinación de elementos lógicos tradicionales como inversores, puertas NAND, multiplexores, osciladores de anillo y más, todos los cuales han sido probados. Las propiedades eléctricas de estos circuitos cumplieron con los últimos estándares, logrando tiempos de conmutación de solo 33 picosegundos, o 33 billonésimas de segundo, consistentemente en toda la oblea de 300 mm que Produjo Intel. La nueva tecnología está demostrando ser prometedora debido a sus propiedades eléctricas, rendimiento y rendimiento. Intel puede fabricar esto a escala, lo que significa que podríamos ver muchas robóticas futuras y componentes de centros de datos de inteligencia artificial que integran estos chips.

Fuente: Fundición Intel