Intel y SK hynix podrían iniciar la producción de DRAM en Estados Unidos.

Según fuentes anónimas cercanas a Reuters, Intel y SK hynix están en conversaciones para iniciar las líneas de producción de DRAM en los Estados Unidos por primera vez. Esto significa que Intel podría colaborar con SK hynix para adquirir tecnología de IP de memoria en una empresa conjunta o SK hynix podría arrendar parte de las instalaciones de Intel en Ohio. En el primer escenario, una empresa conjunta entre Intel y SK hynix aliviaría significativamente las presiones de la cadena de suministro, ya que los hiperescaladores, los diseñadores de chips de fábulas y otros necesitan urgentemente más DRAM. Dado que estas empresas probablemente consumirían toda la DRAM producida en los próximos años, tanto Intel como SK hynix tendrían un interés financiero sustancial en la empresa conjunta.

Por otro lado, si SK hynix decide arrendar las instalaciones de Intel en Ohio, el gigante de la memoria de Corea del Sur pagaría primas por alquilar la instalación mientras conserva toda la producción para sí mismo. Reuters no pudo determinar qué tecnología específica sería el foco de la instalación, pero el objetivo principal es producir DRAM plana regular, HBM y algunas soluciones de almacenamiento con NAND Flash. Intel se negó a comentar sobre el rumor, pero señaló que las inversiones de Ohio continúan independientemente. SK hynix declaró que la compañía no ha finalizado su decisión ni ninguna cooperación, pero no descartó explícitamente la posibilidad de una futura colaboración. Por lo tanto, una decisión oficial debería ser anunciada pronto.

La decisión dependerá de varios factores. El Ministerio de Comercio de Corea del Sur señaló que la decisión sería únicamente la de la propia compañía, pero si se trata de "tecnología central nacional", se requeriría una revisión bajo la Ley de Protección de Tecnología Industrial de Corea del Sur antes de cualquier anuncio. Desde una perspectiva empresarial, el hínix de SK podría tener una operación rentable mediante la fabricación en suelo estadounidense, pero los intereses nacionales de Corea del Sur podrían ejercer presión sobre la decisión. Para Intel, volver a ingresar a la fabricación de DRAM en cualquier capacidad mejoraría su cartera de productos, aumentaría la ocupación de la fundición y diversificaría su flujo de ingresos.

Fuente: Reuters