Investigadores chinos crean una memoria flash ultrarrápida

Investigadores de la Universidad de Fudan han logrado un importante avance en la tecnología de circuitos integrados. El equipo dirigido por Zhou Peng y Liu Chunsen ha desarrollado "PoX", un dispositivo de memoria flash de picosegundos que funciona a velocidades sin precedentes. El equipo predijo un fenómeno llamado "superinyección" creando un modelo de Poisson cuasi 2D, que supera los límites teóricos existentes sobre la velocidad de la memoria. Su dispositivo alcanza velocidades de lectura/escritura de 400 picosegundos (menos de un nanosegundo), lo que equivale aproximadamente a 2.500 millones de operaciones por segundo y lo convierte en la tecnología de memoria de carga de semiconductores más rápida del mundo. "Esto es como si el dispositivo pudiera funcionar mil millones de veces en un abrir y cerrar de ojos, mientras que un disco U (un disco duro en forma de USB) sólo puede funcionar 1.000 veces". El anterior récord mundial de una tecnología similar era de dos millones", explica Zhou Peng, investigador del Laboratorio Estatal Clave de Chips y Sistemas Integrados de la Universidad de Fudan y uno de los principales científicos del equipo de investigación.

La memoria flash tradicional requiere que los electrones se «calienten» y aceleren a lo largo de un canal antes de ser capturados para su almacenamiento, un proceso limitado por la gran distancia de aceleración y las restricciones del campo eléctrico. El nuevo enfoque incluye la estructura de bandas de energía de Dirac, las propiedades de transporte balístico de los materiales bidimensionales y la modulación de la longitud gaussiana del canal 2D. Esto permite a los electrones alcanzar velocidades muy elevadas de forma inmediata sin ningún periodo de «arranque». Una vez plenamente desarrollado, puede revolucionar por completo la arquitectura informática al hacer innecesarios los componentes de memoria y almacenamiento, obviar la necesidad de almacenamiento jerárquico y permitir desplegar localmente grandes modelos de IA. En un plazo de 3 a 5 años, los investigadores planean ampliar la integración a decenas de megabits, tras lo cual la tecnología se pondrá a disposición de la industria para la concesión de licencias. La investigación se publicó con el título «Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection» en la revista Nature 641, 90-97 (2025).

Fuentes: TrendForce, Universidad de Fudan, Nature