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Japón aumenta su capacidad de fotorresina y MOR para litografía EUV de 2 nm

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    Masterbitz
  • hace 3 horas
  • 2 Min. de lectura

A medida que los nodos de clase 2 nm están comenzando a entrar en producción en volumen, los proveedores de materiales japoneses están ampliando la capacidad de resistencias capaces de EUV y productos químicos de proceso de alta pureza, según Nikkei. Tokyo Ohka Kogyo (TOK), Adeka y JSR están construyendo o mejorando fábricas para fotorresistencias y químicas resistentes al óxido metálico (MOR) que mejoran la resolución, la rugosidad del borde de línea (LER) y la resistencia al grabado para el patrón ultravioleta extremo. TOK invertirá ¥ 20 mil millones ($ 130 millones) para agregar una planta de resonancia fotográfica de Corea del Sur (operaciones destinadas a 2030), ampliando la capacidad de hasta tres a cuatro veces para los clientes de empaque y memoria como Samsung, TSMC y SK hynix, y un sitio separado de ¥ 12 mil millones ($ 78 millones) para productos químicos semiconductores de alta pureza. Estos productos químicos (disolventes, desarrolladores, tensioactivos, agentes de limpieza) son críticos para los procesos de EUV donde la sensibilidad, el control de la contaminación y los límites de desgasificación afectan directamente el rendimiento de la oblea y la vida útil de la máscara. La inversión de ¥ 3.2 mil millones ($ 20 millones) de Adeka equipará sus líneas Ibaraki para la producción en masa de MOR (a partir de ~ abril de 2028), mientras que la instalación MOR de JSR en Corea del Sur está programada para el servicio a fines de 2026.

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Estas expansiones abordan cuellos de botella exclusivos de la tecnología de litografía EUV, como la resistencia a la sensibilidad frente a las compensaciones de resolución, la mitigación de defectos y el control de contaminantes. Los proveedores de Japón ya representan la mayoría de la oferta de fotosistencia de alta gama (~ 91% de cuota de mercado), lo que les da una ventaja sobre los competidores que han mejorado la tecnología i-line / KrF, pero aún se retrasan en EUV MOR y el aumento de la escala química de grado de proceso. Los MOR contienen compuestos metálicos que aumentan la absorción de fotones EUV y mejoran la transferencia de patrones: una mayor absorción reduce los requisitos de dosis, y las químicas basadas en metales pueden producir una mejor durabilidad de LER y grabado frente a las resistencias orgánicas convencionales, una clave para la fidelidad del patrón de sub-2 nm.

Fuentes: Nikkei, TrendForce

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