JEDEC presenta sus planes para que los estándares DDR5 MRDIMM y LPDDR6 CAMM impulsen la informática de alto rendimiento y la IA

La Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC, líder mundial en el desarrollo de estándares para la industria microelectrónica, anuncia con orgullo los próximos estándares para módulos de memoria avanzados diseñados para impulsar la próxima generación de aplicaciones de computación de alto rendimiento e IA. El JEDEC ha revelado hoy los detalles clave de sus próximos estándares para los módulos de memoria DDR5 Multiplexed Rank Dual Inline Memory Modules (MRDIMM) y un módulo de memoria de próxima generación Compression-Attached Memory Module (CAMM) para LPDDR6. Los nuevos MRDIMM y CAMM para LPDDR6 están llamados a revolucionar el sector con un ancho de banda y una capacidad de memoria sin precedentes.

El estándar JEDEC MRDIMM está preparado para ofrecer hasta el doble de ancho de banda máximo que la DRAM nativa, lo que permitirá a las aplicaciones superar las velocidades de datos actuales y alcanzar nuevos niveles de rendimiento. Mantiene las mismas características de capacidad, fiabilidad, disponibilidad y servicio (RAS) que JEDEC RDIMM. El comité pretende duplicar el ancho de banda a 12,8 Gbps y aumentar la velocidad de los pines. Se prevé que MRDIMM admita más de dos rangos y se está diseñando para utilizar componentes DIMM DDR5 estándar que garanticen la compatibilidad con los sistemas RDIMM convencionales.

Los MRDIMM DDR5 ofrecen un nuevo diseño de módulo innovador y eficiente para mejorar las velocidades de transferencia de datos y el rendimiento general del sistema. La multiplexación permite combinar varias señales de datos y transmitirlas a través de un único canal, lo que aumenta de forma efectiva el ancho de banda sin necesidad de conexiones físicas adicionales y proporciona una actualización perfecta del ancho de banda para que las aplicaciones puedan superar las velocidades de datos de los módulos RDIMM DDR5. Otras características previstas son:

Compatibilidad de plataforma con RDIMM para una configuración flexible del ancho de banda del usuario final

Utilización de componentes DIMM DDR5 estándar, incluidos DRAM, factor de forma y disposición de pines DIMM, SPD, PMIC y TS para facilitar la adopción.

Escalado eficiente de E/S mediante la capacidad del proceso lógico RCD/DB

Aprovechamiento del ecosistema LRDIMM existente para el diseño y la infraestructura de pruebas

Soporte para escalado multigeneracional a DDR5-EOL

Hay planes en marcha para un factor de forma MRDIMM alto que ofrezca mayor ancho de banda y capacidad sin cambios en el encapsulado de la DRAM. Este innovador factor de forma más alto permitirá montar el doble de paquetes de DRAM single-die en el DIMM sin necesidad de un embalaje 3DS.

Como continuación de la norma de módulos de memoria JESD318 CAMM2 de JEDEC, JC-45 está desarrollando un módulo CAMM de próxima generación para LPDDR6 con el objetivo de alcanzar una velocidad máxima superior a 14,4 GT/s. Según lo previsto, el módulo también ofrecerá un subcanal de 24 bits, un canal de 48 bits y una matriz de conectores.

Ambos proyectos se están desarrollando en el Comité JC-45 de JEDEC para módulos DRAM. JEDEC anima a las empresas a unirse y ayudar a dar forma al futuro de las normas JEDEC. La afiliación da acceso a propuestas previas a la publicación y permite conocer con antelación proyectos activos como MRDIMM.