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Kioxia Corporation presenta el FLCS BiCS de quinta generación

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha desarrollado con éxito su memoria flash tridimensional (3D) BiCS FLASH de quinta generación con una estructura apilada verticalmente de 112 capas. Kioxia planea comenzar a enviar muestras del nuevo dispositivo, que tiene una capacidad de 512 gigabits (64 gigabytes) con tecnología de 3 bits por celda (celda de triple nivel, TLC), para aplicaciones específicas en el primer trimestre del año calendario 2020 El nuevo dispositivo tiene como objetivo satisfacer las crecientes demandas de bits para una amplia variedad de aplicaciones, incluidos dispositivos móviles tradicionales, SSD de consumo y empresariales, aplicaciones emergentes habilitadas por las nuevas redes 5G, inteligencia artificial y vehículos autónomos.


En el futuro, Kioxia aplicará su nueva tecnología de proceso de quinta generación a dispositivos de mayor capacidad, como TLC de 1 terabit (128 gigabytes) y dispositivos de 1,33 terabit de 4 bits por celda (celda de nivel cuádruple, QLC).

La innovadora tecnología de proceso de apilamiento de 112 capas de Kioxia se combina con tecnología avanzada de circuito y proceso de fabricación para aumentar la densidad de la matriz de células en aproximadamente un 20 por ciento sobre el proceso de apilamiento de 96 capas. La nueva tecnología reduce el costo por bit y aumenta la capacidad de fabricación de la capacidad de memoria por oblea de silicio. Además, mejora la velocidad de la interfaz en un 50 por ciento y ofrece un mayor rendimiento de programación y una latencia de lectura más corta.

Desde que anunció el primer prototipo de tecnología de memoria flash 3D del mundo en 2007, Kioxia ha seguido avanzando en el desarrollo de la memoria flash 3D y está promoviendo activamente BiCS FLASH para satisfacer la demanda de capacidades más grandes con troqueles más pequeños.

La quinta generación de BiCS FLASH se desarrolló conjuntamente con Western Digital Corporation, socio tecnológico y de fabricación. Se fabricará en la Planta Yokkaichi de Kioxia y en la Planta Kitakami de nueva construcción.

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