Kioxia desarrolla tecnología básica que permitirá la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y baja potencia

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy el desarrollo de transistores de canal de semiconductores de óxido altamente apilables que permitirán la implementación práctica de DRAM 3D de alta densidad y baja potencia. Esta tecnología se presentó en la IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) celebrada en San Francisco, Estados Unidos, el 10 de diciembre, y tiene el potencial de reducir el consumo de energía en una amplia gama de aplicaciones, incluidos servidores de IA y componentes de IoT.

En la era de la IA, existe una creciente demanda de DRAM con mayor capacidad y menor consumo de energía que puede procesar grandes cantidades de datos. La tecnología DRAM tradicional está alcanzando los límites físicos de la escala del tamaño de la celda de memoria, lo que impulsa la investigación sobre el apilamiento 3D de las celdas de memoria para proporcionar capacidad adicional. El uso de silicio monocristalino como material de canal para transistores en celdas de memoria apiladas, como es el caso de la DRAM convencional, aumenta los costos de fabricación y la potencia requerida para refrescar las celdas de memoria aumenta proporcionalmente a la capacidad de memoria.

   

En el IEDM del año pasado, anunciamos el desarrollo de la tecnología Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) que utiliza transistores verticales hechos de óxido-semiconductores. En la presentación de este año, mostramos tecnología de transistores de canal de óxido-semiconductor altamente apilables que permiten el apilamiento 3D de OCTRAM, verificando el funcionamiento de los transistores apilados en ocho capas.

Esta nueva tecnología apila películas maduras de óxido de silicio y nitruro de silicio y reemplaza la región de silicio-nitruro con un semiconductor de óxido (InGaZnO) para formar simultáneamente capas verticales de transistores apilados horizontalmente. También hemos introducido una nueva estructura de celda de memoria 3D capaz de escalar el tono vertical. Se espera que estos procesos y estructuras de fabricación superen los desafíos de costos de lograr el apilamiento 3D de células de memoria.

Además, se espera que la potencia de refresco se pueda reducir gracias a las características de baja corriente de los semiconductores de óxido. Hemos demostrado altas capacidades en corriente (más de 30 μA) y ultra bajas (menos de 1aA, 10^-18A) para los transistores horizontales formados por el proceso de reemplazo. Además, hemos fabricado con éxito una pila de transistores horizontales de 8 capas y hemos confirmado el funcionamiento exitoso de los transistores dentro de esa estructura.

En Kioxia Corporation continuaremos nuestra investigación y desarrollo de esta tecnología para realizar el despliegue de DRAM 3D en aplicaciones del mundo real.

Fuente: Categoría: Kioxia