Kioxia desvela sus planes para una SSD de alto rendimiento con más de 10 millones de IOPS
Masterbitz
5 jun 2025
2 min de lectura
Kioxia ha anunciado su estrategia de crecimiento a medio y largo plazo y, como parte de ella, la compañía apuesta por la tecnología SSD avanzada para captar más cuota de mercado. El proyecto más ambicioso de la compañía es una revolucionaria SSD que combina su memoria XL-FLASH con un diseño de controlador completamente nuevo. «Tomamos nuestros chips de memoria XL-Flash ultrarrápidos, que utilizan celdas de un solo nivel, y los combinamos con un controlador completamente nuevo», explica un representante de la empresa. «Esta combinación debería proporcionarnos un rendimiento sin precedentes para operaciones de datos a pequeña escala. Nuestro objetivo son más de 10 millones de IOPS, y planeamos tener muestras listas para la segunda mitad de 2026.» La empresa también está colaborando estrechamente con los principales fabricantes de GPU para optimizar el rendimiento de la IA y las aplicaciones de uso intensivo de gráficos.
Por su parte, Kioxia está lanzando su actual generación de unidades SSD basadas en la tecnología BiCS FLASH de 8ª generación. La serie CM9 está dirigida a sistemas de inteligencia artificial que necesitan una velocidad de vértigo y una fiabilidad a toda prueba para sacar el máximo partido del costoso hardware de GPU. En el otro extremo, la serie LC9 se centra en la capacidad de almacenamiento masivo, alcanzando los 122 terabytes por unidad para aplicaciones como las bases de datos a gran escala que alimentan los sistemas de inferencia de IA.
La propia tecnología BiCS FLASH de 8ª generación representa un gran paso adelante al incorporar la tecnología CBA para lograr mayor velocidad y eficiencia energética que las generaciones anteriores. Kioxia está aumentando la producción de estos chips, que se utilizan tanto en unidades SSD de gama alta como en teléfonos inteligentes con inteligencia artificial. De cara al futuro, la empresa está adoptando dos enfoques para el desarrollo de sus futuras memorias flash. Uno de ellos se centra en el método tradicional de apilar más capas para crear mayor capacidad y rendimiento, lo que dará lugar a productos como la 10ª generación de BiCS FLASH. La otra vía se centra en la 9ª generación de BiCS FLASH, que maximiza las ventajas de la tecnología CBA combinando diseños de celdas de eficacia probada con tecnología CMOS de última generación adherida directamente a la matriz, lo que proporciona un gran rendimiento al tiempo que mantiene unos costes de desarrollo manejables.
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