Kioxia inicia envíos de muestras de dispositivos BiCS FLASH de 512 GB TLC de novena generación

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha comenzado los envíos de muestras de dispositivos de memoria 512 Gb Triple-Level Cell (TLC) que incorporan su tecnología de memoria flash BCS FLASH 3D de 9a generación. Planea comenzar la producción en masa en el año fiscal 2025. Los dispositivos están diseñados para apoyar aplicaciones que requieren un alto rendimiento y una eficiencia de potencia excepcional en las capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio. También se integrarán en las SSD empresariales de Kioxia, en particular aquellas que tienen como objetivo maximizar la eficiencia de la GPU en los sistemas de IA.

Kioxia continúa aplicando una estrategia de doble eje para abordar las diversas necesidades de aplicaciones de vanguardia al tiempo que ofrece productos competitivos que proporcionan una eficiencia de inversión óptima. Los dos ejes son:

• Productos de la novena generación de BiCS FLASH: estos logran un alto rendimiento a un costo reducido de producción aprovechando la tecnología CBA (CMOS directamente Bonded to Array), que integra las tecnologías de células de memoria existentes con la última tecnología CMOS.

• Productos de la 10a generación BiCS FLASH: estos incorporan una expansión en el número de capas de memoria para satisfacer la demanda futura esperada de soluciones de mayor capacidad y alto rendimiento.

 

La nueva BiCS FLASH 512 GLC de 9a generación, desarrollada utilizando un proceso de apilamiento de 120 capas basado en tecnología de 5a generación BiCS FLASH y tecnología avanzada CMOS, exhibe mejoras significativas en el rendimiento de los productos BiCS FLASH existentes de Kioxia con la misma capacidad de 512 Gb. Entre ellas figuran:

• Escribe el rendimiento: 61% de mejora

• Lea el desempeño: Desgravación del 12%

• Eficiencia de potencia: mejorada en un 36% durante las operaciones de escritura y 27% durante operaciones de lectura

• Velocidad de transferencia de datos: la interfaz Toggle DDR 6.0 permite el rendimiento de la interfaz NAND de alta velocidad 3.6 Gb/s

• Densidad de los bits: aumentó un 8% a través de los avances en el escalado plano

Además, Kioxia ha confirmado que el 512 Gb TLC opera a velocidades de interfaz NAND de hasta 4.8 Gb/s en condiciones de demostración. La línea de productos se determinará de acuerdo con las demandas del mercado.

Kioxia se ha comprometido a fortalecer sus alianzas globales y a buscar más innovaciones para seguir ofreciendo soluciones óptimas que satisfagan las diversas necesidades de sus clientes.

Fuente: Kioxia