Kioxia inicia los envíos de muestras de dispositivos TLC BiCS FLASH de 1 Tb y 9.ª generación.

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado hoy que ha comenzado los envíos de muestra de dispositivos de memoria de célula de triple nivel (TLC) de 1 Tb (terabit) que incorporan su tecnología de memoria flash BiCS FLASH 3D de 9a generación. Los dispositivos están diseñados para admitir aplicaciones como PC y teléfonos inteligentes habilitados para IA con capacidades de almacenamiento de nivel bajo a medio que requieren un alto rendimiento.

Kioxia continúa persiguiendo una estrategia de doble eje basada en su innovadora tecnología CMOS directamente unida a Array (CBA) y la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS). Bajo su estrategia única de doble eje, Kioxia está avanzando simultáneamente en dos líneas de productos distintas: sus soluciones de 9a generación, que ofrecen un alto rendimiento a un costo de inversión relativamente bajo, y su tecnología de décima generación, que aprovecha el apilamiento de capas avanzado para lograr una capacidad masiva y un rendimiento superior.

Los nuevos dispositivos BiCS FLASH 1 Tb TLC de 9a generación, desarrollados con un proceso de apilamiento de 230 capas basado en la tecnología BiCS FLASH de 8a generación y la tecnología avanzada CMOS, ofrecen una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, una mejora del 33% con respecto a los dispositivos de 8a generación, que coinciden con el rendimiento de los dispositivos de décima generación.

Guiado por su misión de "levantar el mundo con 'memoria'", Kioxia sigue comprometida con impulsar la innovación tecnológica, fortalecer las asociaciones globales y ofrecer las soluciones de almacenamiento avanzadas que impulsan la infraestructura de inteligencia artificial moderna.