Kioxia y Sandisk presentan una tecnología de memoria flash 3D de última generación que alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s

Kioxia Corporation y Sandisk Corporation han sido pioneros en una tecnología de memoria flash 3D de última generación, estableciendo el punto de referencia de la industria con una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s, una eficiencia energética superior y una mayor densidad.

Presentada en ISSCC 2025, la nueva innovación de memoria flash 3D, junto con la revolucionaria tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array) de las empresas, incorpora uno de los últimos estándares de interfaz, Toggle DDR6.0 para memoria flash NAND, y aprovecha el protocolo SCA (Separate Command Address), un novedoso método de entrada de direcciones de comando de su interfaz, y la tecnología PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), que contribuye a reducir aún más el consumo de energía.

Aprovechando esta exclusiva tecnología de alta velocidad, las empresas esperan que la nueva memoria flash 3D logre una mejora del 33% en la velocidad de la interfaz NAND en comparación con su memoria flash 3D de 8ª generación actualmente en producción en masa, alcanzando una velocidad de interfaz de 4,8 Gb/s. La tecnología también puede mejorar la eficiencia energética de la entrada/salida de datos, reduciendo el consumo de energía en un 10% para la entrada y en un 34% para la salida, con lo que se consigue un equilibrio entre alto rendimiento y bajo consumo de energía. Al presentar la memoria flash 3D de 10ª generación, las empresas detallaron que, al aumentar el número de capas de memoria a 332 y optimizar el plano para aumentar la densidad planar, la tecnología mejora la densidad de bits en un 59%.

Hideshi Miyajima, Director de Tecnología de Kioxia, ha declarado: «Con la proliferación de las tecnologías de IA, se prevé que la cantidad de datos generados aumente significativamente, al igual que la necesidad de una mayor eficiencia energética en el centro de datos moderno. Kioxia cree firmemente que esta nueva tecnología permitirá productos de mayor capacidad, mayor velocidad y menor consumo de energía, incluidos los SSD, para las futuras soluciones de almacenamiento y sentará las bases para el desarrollo de la IA.»

Alper Ilkbahar, vicepresidente senior de Estrategia Global y Tecnología de Sandisk, ha declarado: «A medida que avanza la IA, las necesidades de memoria de los clientes son cada vez más diversas. A través de nuestra innovación tecnológica CBA, nuestro objetivo es lanzar productos que ofrezcan la mejor combinación en términos de capacidad, velocidad, rendimiento y eficiencia de capital para atender a nuestros clientes en todos los segmentos del mercado.»

Kioxia y Sandisk también compartieron sus planes para la próxima 9ª generación de memorias flash 3D. Gracias a su exclusiva tecnología CBA, las empresas pueden combinar la nueva tecnología CMOS con una tecnología de células de memoria ya existente para ofrecer productos de bajo consumo, alto rendimiento y eficiencia de capital. Ambas empresas mantienen su compromiso de desarrollar tecnologías de memoria flash de vanguardia, ofrecer soluciones a medida para satisfacer las necesidades de los clientes y contribuir al avance de la sociedad digital.

Fuente: Sandisk