La DRAM de sexta generación de Samsung recibe la aprobación para su producción

1 jul 2025
2 min de lectura
Samsung Electronics ha logrado un importante hito tecnológico al obtener la aprobación para la producción de su tecnología DRAM de sexta generación. Fuentes del sector, según informa Korea Herald, confirmaron el martes que la empresa recibió la autorización interna para la producción en masa, lo que supone la finalización del desarrollo del avanzado proceso de 10 nm (denominado 1c DRAM). Hace poco informamos de que Samsung había logrado unos índices de rendimiento del 50-70% en las pruebas del proceso 1c DRAM, ya que la empresa parece capaz de cumplir su plazo previsto de aproximadamente dos años entre generaciones de productos. Este avance reviste especial importancia para la estrategia de memoria de gran ancho de banda (HBM) de Samsung, ya que la empresa tiene previsto iniciar la producción en masa de HBM4 durante el segundo semestre de este año utilizando la tecnología DRAM de sexta generación recientemente desarrollada. Samsung Electronics anunció en mayo la adopción de la tecnología de unión híbrida para las futuras pilas de memoria HBM4. El objetivo de esta tecnología es reducir la resistencia térmica y permitir interfaces de memoria ultraanchas para satisfacer las crecientes necesidades de ancho de banda y eficiencia de la inteligencia artificial y las aplicaciones informáticas de alto rendimiento.






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