La empresa china Naura afirma haber logrado un gran avance que podría permitir a CXMT sortear las sanciones relacionadas con la EUV y fabricar chips de DRAM 3D

El Grupo de Tecnología Naura de China, un proveedor nacional clave de equipos de fabricación de semiconductores, afirma haber desarrollado un proceso de grabado en dos pasos para la fabricación de chips de DRAM 3D. Los chips 3D DRAM son la próxima generación de tecnología DRAM, ya que buscan superar las limitaciones de los chips de corriente cuando se trata de la densidad celular.

Un artículo publicado por Naura en la revista IEEE explica el progreso realizado en el grabado uniformemente a través de las 64 capas de DRAM 3D para cambiar el foco a la fabricación vertical en lugar de las restricciones horizontales encontradas por la litografía no EUV.

Fabricante Chino De Equipos De Chips Naura Detalles Avance En La Ingeniería De Grabado De Semiconductores Que Podría Ayudar A CXMT

A medida que las sanciones occidentales restringen las ventas de máquinas avanzadas de fabricación de chips EUV a China, los diseñadores de chips del país se centran cada vez más en el aspecto vertical de la fabricación y el diseño de semiconductores. El principal beneficio de la litografía EUV es que permite a los fabricantes y diseñadores crear chips con vías de circuito más finas y patrones que se extienden horizontalmente sobre un trozo de silicio.

A principios de este año, Huawei creó un poco de revuelo cuando anunció una nueva tecnología de diseño de chips llamada Tau Scaling. En el centro de este enfoque se encontraba la arquitectura LogicFolding de Huawei que pliega y apila los circuitos lógicos verticalmente para reducir la resistencia, mejorar la conectividad e incluso lograr un rendimiento y una densidad transitoria equivalente a los chips estándar de 1,4 nanómetros para 2031. A través de estos, la necesidad de aumentar la densidad de transistores reduciendo los tamaños de los circuitos a través de EUV se reemplaza por el enfoque en el apilamiento vertical.

Firme Afirma Que El Proceso Cíclico De Grabado De Dos Pasos Puede Mejorar La Uniformidad De Profundidad Y La Alta Selectividad, Dice Que La Uniformidad Se Ha Logrado "A Lo Largo De 64 Pares De Capas"

Ahora, una investigación publicada por Naura Technology de China insinúa que el país podría estar adoptando un enfoque similar para la fabricación de la memoria. En él, la firma describe un método para realizar un grabado uniforme en una pila de DRAM 3D de 64 capas que se basa en las capas de silicio (Si) y silicio-germanio (SiGe). En el diseño de la DRAM 3D, estos dos materiales se apilan alternativamente y el SiGe se elimina para hacer espacio entre las capas de Si para establecer la palabra, las líneas de bits y las puertas dentro de lo que se llama un piso de canal.

El proceso de eliminación de estas capas de SiGe se llama grabado, y en su artículo de investigación, Naura afirma superar las limitaciones tradicionales en el proceso. Estas limitaciones incluyen los productos químicos de ataque químico "que se alimentan" en las capas de Si adyacentes para alterar su uniformidad, los subproductos de la sedimentación del proceso en la parte inferior de la pila y la incapacidad de los productos químicos para alcanzar las capas inferiores también.

Superarlos puede permitir que CXMT progrese a DRAM 3D y fabricación vertical para superar las restricciones de densidad de transistores horizontales que enfrentan los equipos DUV.

Los problemas mencionados anteriormente se denominan baja selectividad para el daño de la capa de Si y la microcarga para la acumulación de contaminantes de fondo. Superarlos mejora la uniformidad de profundidad del proceso o el tamaño del hueco en las capas de Si-Si.

En el frente de grabado, Naura utiliza un proceso de dos pasos. El primer paso consiste en la voladura de radicales de flúor no sesgados (eléctricamente neutros) en las capas de SiGe. Esto asegura que solo el SiGe se dirige por los materiales de grabado, lo que conduce a una película protectora fina de formación de fluoruro de germanio sobre la capa de Si. La segunda etapa es purgar los subproductos químicos a través de una etapa de purga asistida por plasma, que elimina la microcarga del proceso.

Según la empresa, este proceso le permite lograr una selectividad de grabado de Si a SiGe superior a 500 a 1. Esta velocidad implica que las capas de SiGe se graban más de 500 veces más rápido que las capas de Si para una capa entre las dos capas de Si que tiene un espesor de 200 nanómetros.

La tasa de pérdida va acompañada de una pérdida de menos de 10 angstroms para la capa de silicio, dice la empresa. Finalmente, Naura también afirma que la uniformidad estructural es mayor del 95% para implicar que la capa inferior tiene al menos 190 nanómetros de espesor si la capa superior tiene 200 nanómetros de espesor "a través de 64 pares de capas".

Fuente: Wccftech