La IA integrada en los smartphones es una mentira descarada debido a las limitaciones del diseño y de la DRAM, pero el último avance arquitectónico de SK hynix podría cambiar esta situación

En el frente del silicio, compañías como Apple, Qualcomm, MediaTek y Samsung han progresado enormemente en hacer que sus SoC sean increíblemente poderosos para la inteligencia artificial en el dispositivo, pero sus avances seguirán atrofiados debido a las limitaciones de empaque y DRAM. Si bien se ha abordado uno de estos aspectos, un nuevo informe afirma que SK hynix está trabajando en el segundo obstáculo a través del desarrollo de la arquitectura DRAM-on-logic apilada en 3D en los teléfonos móviles.

SK hynix está reclutando ingenieros para acelerar el desarrollo de la arquitectura DRAM-on-logic apilada en 3D, eliminando las limitaciones de inteligencia artificial en el dispositivo en los teléfonos inteligentes

Esta memoria de próxima generación se acumula directamente en la parte superior de un chip semiconductor y servirá como un componente clave en la computación de inteligencia artificial de borde. Según ZDNet, SK hynix comenzó a contratar ingenieros de diseño a través de su filial estadounidense en San José, California, y ha formado una asociación con un cliente no identificado para aplicar esta tecnología. Es probable que esta compañía sea Apple, ya que se espera que esta última sea la primera en abandonar el empaque más antiguo de InFO-PoP a favor del nuevo empaquetado WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module) para el A20 Pro.

La arquitectura DRAM-on-logic apilada en 3D es completamente diferente de PoP, que solo coloca dos fichas una encima de la otra. El embalaje de próxima generación puede acortar la distancia entre los chips y proporcionar un mayor número de canales de transferencia de datos dentro de la misma huella. Además de reducir la latencia de la transferencia de datos, los teléfonos inteligentes con esta tecnología también experimentarán una mayor eficiencia energética y utilización del espacio.

Si bien el enfoque de SK hynix es sin duda un gran avance para eliminar las limitaciones en los teléfonos inteligentes y permitirles convertirse realmente en dispositivos de inteligencia artificial en el dispositivo, también se están trabajando en otras implementaciones. Qualcomm, por ejemplo, está desarrollando DRAM 3D para unidades de procesamiento neuronal (NPU) y se ha asociado con CXMT para llevar capacidades de inteligencia artificial en el dispositivo a los teléfonos inteligentes en China.

Del mismo modo, Samsung está trabajando en Low Latency Wide DRAM (LLW) que imita la integración de HBM sin las compensaciones de temperaturas más altas, mientras que apunta a ofrecer un ancho de banda hasta un 150 por ciento más alto que la DRAM LPDDR5X tradicional. Por último, pero no menos importante, Huawei también está trabajando para llevar la memoria HBM a los teléfonos inteligentes, pero dado que esta memoria solo es adecuada para centros de datos debido a su diseño apilado, alto precio y bajo rendimiento, probablemente será una solución personalizada como lo hizo Samsung con la memoria de sus Exynos 2600.

Para experimentar correctamente la IA en el dispositivo en los teléfonos inteligentes, es necesario que haya una memoria adecuada y rápida disponible. Desafortunadamente, con el A19 Pro de Apple alcanzando un ancho de banda de memoria miserable de 75.8GB/s, está claro que el nuevo embalaje ahora es obligatorio para forjar un nuevo camino en la industria. Suponiendo que Apple sea uno de los primeros adoptantes, dudamos de que seamos testigos de esta implementación en el A20 Pro desde que el iPhone 18 Pro ha entrado en producción en masa, por lo que tal vez el próximo año, seremos testigos de una gran sorpresa.

Fuente de noticias: ZDNet