La memoria DDR6 llegará en 2027 con velocidades de 8.800 a 17.600 MT/s
- Masterbitz

- 23 jul 2025
- 2 Min. de lectura
La industria de semiconductores ha acelerado oficialmente su desarrollo de memoria de próxima generación, con el estándar DDR6 que ahora viene pronto. Aunque los entusiastas no encontrarán estos módulos disponibles hasta 2027, los jugadores clave, Samsung, Micron y SK Hynix, ya han movido etapas prototipos y se han embarcado en ciclos de validación rigurosos. En asociación con Intel, AMD y NVIDIA, están apuntando a un rendimiento inicial de 8.800 MT/s, con planes de escalar a unos asombrosos 17.600 MT/s, casi duplicando el techo del DDR5 actual. Este aumento es impulsado por la arquitectura subcanal de 4-24 bits de DDR6, que requiere enfoques completamente nuevos para señalar la integridad de las señales. Además, también difiere de la actual estructura subcanal de DDR5 de 2x32 bits. Para superar los límites físicos que los factores de la forma DIMM enfrentaron a velocidades más altas, la industria está apostando por CAMM2. La primera indicación es que las plataformas del servidor liderarán el cambio, con cuadernos de alta gama siguiendo el ejemplo una vez que la fabricación aumenta.






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