La memoria HBM de última generación de SK Hynix utilizará el encapsulado EMIB-T de Intel

Intel Foundry está logrando otro éxito significativo ya que SK hynix, un fabricante líder de memoria, se está convirtiendo en un cliente para el empaquetado avanzado EMIB. Durante Hot Chips 2026, SK hynix mencionó que está colaborando con TSMC para integrar la memoria HBM en CoWoS-L, CoWoS-S, CoWoS-R y, lo más importante, Intel EMIB. Por ejemplo, la discusión de SK hynix se centró en la memoria que progresa de aproximadamente 1.024 pines a 2.048 pines en el último HBM4. El número de TSV está aumentando, y la integración requiere empaques 2.5D, unión híbrida, así como la integración de DRAM 3D para lograr la tecnología de memoria de próxima generación con aceleradores avanzados de IA.

A medida que los clientes buscan diversificarse cada vez más de CoWoS de TSMC, la familia EMIB de Intel ofrece muchas opciones atractivas, particularmente con EMIB-T. Esta variante incluye TSV para permitir la entrega de potencia vertical a través de múltiples chips apilados, soportando el concepto de suministro de potencia vertical de SK hynix para módulos de memoria 3D a nivel de paquete con EMIB-T.

Otra ventaja importante del embalaje de Intel es su considerable beneficio de coste. La diferencia de precio entre EMIB-T y CoWoS puede ser Hasta un 50%, dependiendo de si se necesita un interpuestor caro. Esta ventaja de costo permite a los clientes invertir en otras áreas de producción. Para SK hynix, esto significa que los clientes pueden invertir en más memoria HBM y traducir estos ahorros de costos en mayores ingresos, lo que es una victoria sustancial para el fabricante de memoria.

Fuente: Vía UDN