La memoria LPDDR6 de SK hynix entrará en producción en masa en la segunda mitad de 2026.

SK hynix se está preparando para la producción en masa de su memoria LPDDR6 de próxima generación, según el medio surcoreano Herald. Si bien esta información no es sorprendente, la línea de tiempo ahora está establecida para la segunda mitad de 2026, que comenzó en julio. Los rumores anteriores sugirieron que la producción en masa ocurriría en la primera mitad del año, ya que la producción de pruebas y pruebas se completó en marzo. Anteriormente, SK hynix anunció que sus módulos de memoria LPDDR6 contarían con una capacidad de 16 Gb en el nodo de 10 nm de sexta generación, conocido como 1c. Aunque aún no se conoce la velocidad exacta de LPDDR6, se informó anteriormente que el hínix SK está preparando módulos capaces de funcionar a velocidades de hasta 14,4 Gbps, lo que ofrece un aumento significativo del rendimiento con respecto a la memoria LPDDR5X de la generación anterior. La compañía reclama una mejora del 33% sobre LPDDR5X, que alcanzó los 10,7 Gbps, alineándose con la cifra de 14,4 Gbps para LPDDR6.

LPDDR6 traerá numerosas mejoras, particularmente en densidad, eficiencia de potencia y velocidad. SK hynix también espera importantes optimizaciones de eficiencia energética superiores al 20% gracias a las nuevas tecnologías que permiten el funcionamiento de LPDDR6. Esta generación de memoria DDR de baja potencia utiliza una estructura de subcanal que permite que los canales de memoria funcionen selectivamente, procesando solo las rutas de datos necesarias. Esto significa que no todos los canales deben ser activados cuando no son necesarios. Además, LPDDR6 incorpora Dynamic Voltage and Frequency Scaling (DVFS), que optimiza el consumo de energía y el rendimiento mediante el ajuste dinámico del voltaje y la frecuencia dependiendo del escenario.

Fuente: Herald