La memoria no volátil "DRAM+" combina la velocidad de la DRAM con la persistencia de Flash

Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda han formado una alianza para comercializar "DRAM+", una arquitectura de memoria ferroeléctrica (FeRAM) que combina la velocidad de la DRAM con la retención de datos no volátiles. La tecnología sustituye los condensadores convencionales por elementos ferroeléctricos de óxido de hafnio (HfO₂), lo que permite un almacenamiento persistente sin alimentación y mantiene tiempos de acceso de nanosegundos. Esta tecnología híbrida resuelve la brecha de rendimiento existente entre la DRAM de alta velocidad y las memorias de almacenamiento como la flash NAND. A diferencia de los anteriores proyectos europeos de DRAM de Infineon y Qimonda, que fracasaron frente a la economía de las memorias comerciales, FMC se dirige a aplicaciones especializadas que valoran la persistencia y la eficiencia energética. El enfoque basado en el HfO₂ resuelve las limitaciones de las anteriores implementaciones de memoria FeRAM con titanato de circonato de plomo (PZT), que no podían superar los megabytes de capacidad.

Los prototipos demuestran ahora densidades de gigabits compatibles con la fabricación por debajo de los 10 nm de las DRAM tradicionales de Micron, Samsung, SK Hynix y otros fabricantes. Al eliminar los ciclos de actualización, la DRAM+ reduce sustancialmente el consumo de energía estática en comparación con las celdas DRAM tradicionales de un transistor y un condensador. Entre sus principales aplicaciones se encuentran los aceleradores de inteligencia artificial que requieren pesos de modelo persistentes, las ECU de automoción con requisitos de arranque inmediato y los implantes médicos con limitaciones de potencia. Neumonda aportará su conjunto de plataformas de pruebas Rhinoe, Octopus y Raptor para la caracterización eléctrica y el análisis con costes de capital inferiores a los de los equipos de prueba de semiconductores estándar. No se han anunciado plazos de producción para los productos comerciales DRAM+.

Fuente: vía Tom's Hardware