La nueva arquitectura del Samsung Exynos 2700 está llamada a ampliar su ventaja térmica sobre el Snapdragon y a permitir un aumento del 30-40 % en el ancho de banda de la memoria

Samsung dio un salto generacional al introducir un nuevo disipador de calor dentro del chip Exynos 2600, mejorando sustancialmente su estabilidad térmica en el proceso. Aun así, con el próximo chip Exynos 2700, Samsung tiene la intención de aprovechar su impulso en ciernes al optar por una arquitectura innovadora lado a lado (SBS) junto con un disipador de calor más refinado, desbloqueando un salto significativo en el ancho de banda de memoria.

Samsung confía en una novedosa arquitectura SBS y un disipador de calor más refinado para mejorar el rendimiento real de su próximo chip Exynos 2700

Como actualización, se espera que el chip Exynos 2700 aproveche el proceso SF2P de Samsung, que es la iteración de próxima generación del proceso GAA de 2 nm utilizado por el chip Exynos 2600.Para el beneficio de aquellos que podrían no ser conscientes, la Puerta Todo-Around (GAA) es una arquitectura de transistores 3D donde la Puerta envuelve completamente el canal, que consiste en nanoláminas apiladas verticalmente, desde los cuatro lados, lo que resulta en un control electrostático mejorado y un umbral de voltaje más bajo.Como tal, se espera que el nuevo proceso SF2P de Samsung produzca un aumento del 12 por ciento en el rendimiento bruto y una reducción del 25 por ciento en el consumo total de energía en relación con el nodo SF2 de la generación anterior.

Aun así, se espera que el cambio más profundo dentro del chip Exynos 2700 se centre en su diseño. El Exynos 2600 tiene un diseño tipo sándwich, donde la RAM se apila en la parte superior del SoC, y un disipador de calor a base de cobre (llamado Heat Path Block o HPB) se encuentra en la parte superior de la RAM. Al tiempo que implica una mayor eficiencia térmica, este diseño todavía atrapa el calor entre el SoC y la RAM.

Sin embargo, con el chip Exynos 2700, Samsung tiene la intención de aprovechar su Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) para colocar la RAM junto al SoC, integrando los dos a nivel de oblea. Esta arquitectura conlleva una serie de ventajas. En primer lugar, dadas las interconexiones mucho más cortas, se espera que el ancho de banda de la memoria aumente en un 30 por ciento a 40 por ciento, al tiempo que mejora la eficiencia energética. Además, el disipador de calor HPB puede parar el SoC y la RAM, lo que resulta en mejoras de material en la estabilidad térmica del chip.

El chip Exynos 2600 ya es más estable térmicamente que el chip Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm. Con la innovación que Samsung está aportando a su chip Exynos 2700 de próxima generación, se espera que este admirable cliente potencial crezca aún más.

Fuente: Wccftech