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La tecnología de plasma duplica la velocidad de grabado de la memoria flash NAND 3D

Foto del escritor: MasterbitzMasterbitz

Los científicos han dado un gran paso adelante en la tecnología de almacenamiento de datos, han logrado mejorar el proceso de fabricación de memoria flash 3D NAND. Este tipo de tecnología de almacenamiento apila células de memoria unas encima de otras para obtener una mayor densidad de datos. Un equipo de expertos de Lam Research, la Universidad de Colorado Boulder y el Laboratorio de Física Plasma de Princeton idearon una mejor manera de grabar (el proceso de tallar agujeros en capas alternas de óxido de silicio y nitruro de silicio) mediante el uso de plasma de fluoruro de hidrógeno. Este nuevo método corta los canales verticales a través de materiales basados en silicio dos veces más rápido que antes de lograr 640 nanómetros en solo un minuto.



El equipo descubrió que mezclar en ciertos químicos como el trifluoruro de fósforo ayuda al proceso de grabado. También aprendieron que algunos subproductos pueden ralentizar el grabado, pero añadir agua puede ayudar a solucionar este problema. "La sal puede descomponer a una temperatura más baja cuando el agua está presente, lo que puede acelerar el grabado", dijo Yuri Barsukov, un ex investigador de PPPL que ahora trabaja en Lam Research. Este avance es importante, ya que la necesidad de almacenamiento de datos recibió un gran impulso con el aumento de los programas de IA, que necesitan toneladas de almacenamiento.

 

"Cryo etch con el plasma de fluoruro de hidrógeno mostró un aumento significativo en la tasa de grabado en comparación con los procesos cryo-etch previos, donde estás usando fuentes separadas de flúor y hidrógeno", dijo Thorsten Lill de Lam Research.


"La mayoría de la gente está familiarizada con la memoria flash NAND porque es del tipo que está en las tarjetas de memoria para cámaras digitales y unidades USB. También se utiliza en computadoras y teléfonos móviles. Hacer aún más denso este tipo de memoria, para que se puedan embalar más datos en la misma huella será cada vez más importante a medida que nuestras necesidades de almacenamiento de datos crezcan debido al uso de la inteligencia artificial", dijo Igor Kaganovich, un físico de investigación principal de PPPL.


El estudio fue publicado en el Journal of Vacuum Science & Technology A (2024).


Fuente: Phys

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