Los científicos han dado un gran paso adelante en la tecnología de almacenamiento de datos, han logrado mejorar el proceso de fabricación de memoria flash 3D NAND. Este tipo de tecnología de almacenamiento apila células de memoria unas encima de otras para obtener una mayor densidad de datos. Un equipo de expertos de Lam Research, la Universidad de Colorado Boulder y el Laboratorio de Física Plasma de Princeton idearon una mejor manera de grabar (el proceso de tallar agujeros en capas alternas de óxido de silicio y nitruro de silicio) mediante el uso de plasma de fluoruro de hidrógeno. Este nuevo método corta los canales verticales a través de materiales basados en silicio dos veces más rápido que antes de lograr 640 nanómetros en solo un minuto.

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