Las máquinas EUV de alta AN de Intel ya han procesado 30.000 obleas, y vendrán más con el nodo 14A

Intel ha desplegado con éxito dos avanzados sistemas de litografía ASML High-NA Twinscan EXE:5000 EUV en sus instalaciones de desarrollo D1 cerca de Hillsboro, Oregón, procesando aproximadamente 30.000 obleas en un solo trimestre. Los sistemas EUV High-NA, valorados en 380 millones de dólares cada uno, representan una mejora sustancial con respecto a las herramientas litográficas anteriores, ya que consiguen una resolución de hasta 8 nm con una sola exposición, frente a la resolución de 13,5 nm de los actuales sistemas Low-NA. Los primeros datos operativos indican que estas máquinas son aproximadamente el doble de fiables que las generaciones anteriores de EUV, lo que resuelve los problemas de fiabilidad que antes obstaculizaban el progreso de la fabricación de Intel. La capacidad de lograr con una sola exposición lo que antes requería tres exposiciones y aproximadamente 40 pasos de procesamiento se ha reducido a pasos de procesamiento de «un solo dígito».

Intel ha sido históricamente uno de los primeros en adoptar la litografía EUV de alta AN, una estrategia mucho más agresiva que la de sus competidores como TSMC, que fabrica su silicio avanzado utilizando herramientas EUV de baja AN. La empresa tiene previsto utilizar estos sistemas en su próximo proceso de fabricación de chips 14A, aunque no se ha anunciado ninguna fecha concreta de producción en masa. Mientras que ASML clasifica estos sistemas Twinscan EXE:5000 como herramientas de preproducción no diseñadas para la fabricación de grandes volúmenes, el amplio procesamiento de obleas de Intel es más bien un banco de pruebas. La adopción temprana proporciona a Intel valiosas oportunidades de desarrollo en varios aspectos de la fabricación de EUV de alta AN, como el vidrio de la fotomáscara, las películas y los productos químicos especializados que podrían establecer futuros estándares industriales. El actual nodo 18A de Intel utiliza herramientas litográficas de baja AN, con las que Intel sólo explora la alta AN a modo de prueba, antes de pasar a la fabricación de grandes volúmenes 14A con EUV de alta AN.

Fuentes: Reuters, vía Tom's Hardware