Los nuevos planes de Samsung para su planta de chips en EE. UU. podrían situar al gigante coreano a la altura de TSMC, ya que la empresa abandona los 4 nm y se lanza a toda velocidad a los 2 nm GAA.

TSMC sigue siendo firme en evitar que su tecnología de vanguardia llegue a suelo estadounidense, dando a Samsung una oportunidad de oro para introducir su nodo GAA de 2nm en la región en forma de su planta Taylor que se encuentra en Texas. Las operaciones de la instalación están programadas para comenzar pronto, ya que se informó anteriormente que los empleados de ASML habían establecido maquinaria EUV para suavizar la transición de producción.

Esta parafernalia es muy vital para producir en masa obleas de sub-5nm con mayores rendimientos, con la planta de Taylor previamente enfocada en aumentar la fabricación de unidades de 4nm. Sin embargo, el último informe afirma que ha habido un cambio importante en los planes, con Samsung ahora cambiando su enfoque a la tecnología GAA de 2nm. Con este movimiento, TSMC podría enfrentar un desafío significativo de su rival de fundición.

El objetivo inicial de producción en masa era de 20.000 obleas mensuales, y se ha elevado a 50.000 unidades; Samsung está acelerando la producción de GAA de 2 nm para reducir la brecha con TSMC

El Exynos 2600 ya se anunció como el primer chipset GAA de 2 nm de Samsung, y cuando se informó por primera vez que el SoC había entrado en producción en masa, se estimó que los rendimientos eran del 50 por ciento. Ahora, esta cifra podría ser testigo de un aumento porque Munhwa informa que el volumen inicial de producción en masa se ha aumentado a 50.000 obleas mensuales, frente a los 20.000 anteriores.

Se dijo que la planta de Taylor adoptó el nodo de 4nm, ya que asegurar rendimientos saludables habría sido más fácil, pero se ha informado que la instalación ha revisado sus órdenes de compra de equipos para acomodar la litografía GAA de 2nm. Si bien la compañía aún no ha divulgado los detalles, la industria cree que este fue un movimiento estratégico para igualar la escala inicial de 2 nm de TSMC, y se espera que la planta de Taylor alcance una capacidad mensual de 100.000 unidades gigantes para 2027.

En cuanto a cómo este sitio puede alcanzar tal escala, es gracias a que Samsung ya está asegurando un acuerdo de $ 16.5 mil millones con Tesla para fabricar el AI6, un chip de conducción autónomo de próxima generación. También se ha informado que el gigante tecnológico coreano cumple con los pedidos de GAA de 2nm para dos fabricantes chinos de equipos de criptomonedas, pero es probable que la producción para este último se lleve a cabo en el territorio de Samsung en lugar de subcontratar la fabricación a la planta de Taylor.

Si bien no se ha confirmado lo siguiente, el sitio de producción de Estados Unidos también podría servir como un centro principal para el nodo GAA de 2nm de segunda generación, y Samsung se está moviendo a un ritmo de rayo para superar a TSMC porque se informó que la compañía había completado el diseño básico del nuevo proceso de fabricación a principios de este año. SF2P +, que es la variante GAA de 2nm de tercera generación de Samsung, está actualmente en desarrollo y podría implementarse dentro de dos años.

Fuente de noticias: Munhwa