Micron anuncia el envío de 1γ (1-gamma) DRAM: Primer nodo de memoria EUV de la empresa

Micron Technology, Inc. ha anunciado hoy que es la primera empresa del sector en enviar muestras de su memoria DDR5 basada en nodos DRAM de 1γ (1-gamma) de sexta generación (clase 10 nm) diseñada para CPU de próxima generación a socios del ecosistema y clientes selectos. Este hito de la DRAM 1γ se basa en el liderazgo anterior de Micron en los nodos DRAM 1α (1-alpha) y 1β (1-beta) para ofrecer innovaciones que impulsarán las futuras plataformas informáticas, desde la nube hasta las aplicaciones industriales y de consumo, pasando por los dispositivos Edge AI, como los PC AI, los smartphones y los automóviles. El nodo Micron 1γ DRAM se aprovechará primero en su DRAM DDR5 de 16 Gb y, con el tiempo, se integrará en toda la cartera de memorias de Micron para satisfacer la acelerada demanda del sector de soluciones de memoria de alto rendimiento y eficiencia energética para IA. Diseñada para ofrecer capacidades de velocidad de hasta 9200 MT/s, el producto DDR5 de 16 Gb proporciona hasta un 15% de aumento de velocidad y más de un 20% de reducción de consumo en comparación con su predecesora.

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Con la introducción de la IA en el centro de datos y en el perímetro, la demanda de memoria nunca ha sido mayor. La transición de Micron al nodo DRAM 1γ ayuda a abordar los retos clave que los clientes buscan resolver:

Rendimiento mejorado: la DRAM basada en el nodo 1γ de Micron proporciona un rendimiento mejorado que permitirá escalar la computación en una amplia variedad de ofertas de memoria, desde centros de datos hasta dispositivos periféricos, para satisfacer las demandas de las futuras cargas de trabajo de IA.

Ahorro de energía: el nodo 1γ de Micron, que utiliza tecnología CMOS de compuerta metálica de alta K de última generación junto con optimizaciones de diseño, permite una reducción de energía superior al 20 %, lo que se traduce en perfiles térmicos mejorados.

Mayor densidad de bits: el nodo 1γ de Micron, que aprovecha la litografía EUV, las optimizaciones de diseño y las innovaciones de proceso, permite obtener más de un 30% más de bits por oblea que la generación anterior y la capacidad de ampliar el suministro de memoria de forma eficiente.

«La experiencia de Micron en el desarrollo de tecnologías DRAM propias, combinada con nuestro uso estratégico de la litografía EUV, ha dado como resultado una sólida cartera de productos de memoria 1γ de última generación preparados para impulsar el ecosistema de la IA», declaró Scott DeBoer, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología y productos de Micron. «La mayor densidad de bits del nodo DRAM 1γ subraya la destreza y eficiencia de fabricación de Micron, lo que nos permite ampliar el suministro de memoria para satisfacer la creciente demanda del sector.»

La probada tecnología DRAM de Micron y su estrategia de fabricación a lo largo de varias generaciones han permitido la creación de este nodo 1γ optimizado. La innovación del nodo 1γ DRAM se apoya en los avances del CMOS, incluida la tecnología de puerta metálica de alta K de nueva generación que mejora el rendimiento del transistor para una mayor capacidad de velocidad, optimización del diseño y reducción del tamaño de las características, todo lo cual desbloquea las ventajas del ahorro de energía y la ampliación del rendimiento. Además, al incorporar de forma óptima la litografía EUV de vanguardia, junto con una avanzada tecnología de grabado de alta relación de aspecto e innovaciones de diseño líderes en el sector, el nodo 1γ ofrece ventajas de densidad de bits líderes en el sector. Al desarrollar el nodo 1γ para su fabricación en centros de todo el mundo, Micron está contribuyendo a garantizar una mejor resistencia tecnológica y de suministro para la industria.

«Micron ha vuelto a liderar el sector en la introducción de la tecnología de memoria más avanzada del mundo. El nodo 1γ DRAM de Micron es un logro pionero gracias a su inigualable eficiencia energética y extraordinario rendimiento», afirma Sumit Sadana, vicepresidente ejecutivo y director comercial de Micron Technology. «Los productos Micron 1γ DRAM están listos para revolucionar el ecosistema de la IA al ofrecer soluciones de memoria escalables en todos los segmentos, desde los centros de datos hasta el borde, lo que permite a nuestros clientes mantenerse a la vanguardia de las demandas de la industria en rápida evolución.»

Transformación de los productos de la nube a los bordes

Sirviendo como base para futuros productos, el nodo 1γ se integrará en toda la cartera de memorias de Micron:

Soluciones de memoria DDR5 basadas en Data center-1γ para el centro de datos, que permiten un rendimiento hasta un 15% más rápido, ofrecen una mayor eficiencia energética y ayudan a permitir un escalado continuo del rendimiento del servidor permitiendo a los centros de datos optimizar dentro del futuro diseño energético y térmico a nivel de rack.

Las soluciones DRAM de bajo consumo Edge AI-1γ ofrecen un mayor ahorro energético y un mayor ancho de banda, mejorando la experiencia del usuario con las soluciones Edge AI.

Los módulos AI PC-1γ DDR5 SODIMM aumentan el rendimiento y reducen el consumo de energía en un 20%, lo que prolonga la duración de la batería y mejora la experiencia general del usuario de portátiles.

Mobile-1γ LPDDR5X permitirá experiencias de IA excepcionales en el borde y continúa el liderazgo de Micron en tecnología móvil.

La memoria LPDDR5X basada en Automotive-1γ amplía la capacidad, la longevidad y el rendimiento, al tiempo que alcanza velocidades de hasta 9600 MT/s.

Citas del sector:

«Estamos entusiasmados de ver el progreso de Micron con su nodo 1γ DRAM y ya hemos comenzado los esfuerzos de validación para la memoria Micron 1γ DDR5», dijo Amit Goel, Vicepresidente Corporativo de Ingeniería de Soluciones de Plataformas de Servidores de AMD. «Nuestra estrecha colaboración es crucial a medida que continuamos avanzando en el ecosistema de computación con productos AMD EPYC de próxima generación para el centro de datos, así como procesadores de consumo en toda nuestra cartera.»

«Los avances del nodo 1γ de Micron aportan sólidas mejoras de potencia y densidad a los servidores Intel y a los PC de IA. Nos entusiasma ver la continua innovación de Micron en la tecnología DRAM y esperamos aumentar el rendimiento de los sistemas de servidores y la duración de la batería de los PC en función de estas capacidades», afirmó el Dr. Dimitrios Ziakas, vicepresidente y director general de Memory & IO Technologies en Intel Corporation. «Intel está trabajando diligentemente a través de su riguroso proceso de validación de servidores para las muestras de memoria 1γ DDR5 de Micron, con el fin de ofrecer sistemas de servidores con la máxima calidad y las mejores experiencias de su clase para nuestros clientes.»

Los clientes y socios cualificados pueden participar en el Programa de Habilitación Tecnológica (TEP) de Micron para DDR5, que ofrece acceso temprano a información técnica y a modelos eléctricos y térmicos, así como soporte para ayudar en el diseño, desarrollo e introducción de plataformas informáticas de nueva generación.