Micron desarrolla memoria para servidores DDR5 RDIMM de 512 GB que alcanza los 9200 MT/s.

Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), anunció hoy un hito importante en la innovación de la memoria con la demostración exitosa del primer módulo DDR5 de 512 GB del mundo en múltiples plataformas de servidores. El logro refuerza el liderazgo de Micron en memoria de servidor de alto rendimiento y alta capacidad y proporciona a los clientes de centros de datos empresariales y en la nube un camino para admitir una inteligencia artificial grande y exigente, análisis, base de datos en memoria y cargas de trabajo pesadas de simulación con mayor eficiencia. Los principales habilitadores de semiconductores, AMD e Intel, están validando activamente el módulo, que ofrecerá velocidades de hasta 9.200 MT/s.

La alta capacidad del módulo es posible gracias a las innovaciones avanzadas de embalaje de interconexión vertical de Micron. Este producto apila verticalmente los troqueles DRAM interconectados por vías de silicio pasante (TSV) para maximizar la densidad dentro de los paquetes de DRAM individuales, preservando al mismo tiempo el rendimiento que demandan las arquitecturas modernas de centros de datos. El módulo permite hasta 12 TB de DRAM DDR5 en un único servidor de doble socket de 24 ranuras.

Raj Narasimhan, vicepresidente senior y gerente general de la Unidad de Negocios de Memoria en la Nube de Micron"Micron continúa marcando el ritmo de la tecnología de memoria, ofreciendo una nueva clase de memoria de servidor ultradensa y de alto rendimiento que ayuda a los clientes a mantener los conjuntos de datos más grandes más cerca de los motores informáticos que los necesitan. Un RDIMM de 512 GB permite servidores multi-terabyte, soportando mayores cargas de trabajo de inteligencia artificial y base de datos, una mayor densidad de virtualización y una mayor eficiencia energética, todo dentro de las huellas de servidores existentes.

Validación de socios de ecosistemas

Micron está colaborando estrechamente con los principales habilitadores de ecosistemas para validar el RDIMM DDR5 de 512 GB en plataformas de servidores de próxima generación, lo que garantiza una amplia compatibilidad y un camino sin problemas para la implementación.

Amit Goel, vicepresidente corporativo de Ingeniería de Soluciones de Plataformas de Computación y Inteligencia Artificial Empresarial, AMD"Las soluciones de AMD continúan avanzando en el rendimiento del centro de datos, la escalabilidad y la eficiencia a medida que la IA y las cargas de trabajo intensivas en datos remodelan los requisitos de infraestructura. Nuestra estrecha colaboración de ingeniería con Micron reúne la innovación en computación y memoria para ayudar a los clientes a obtener el valor total de las plataformas impulsadas por AMD. Juntos, estamos permitiendo una infraestructura equilibrada y de alto rendimiento para la creciente escala y complejidad de las cargas de trabajo modernas".

Karin Eibschitz Segal, gerente general de ingeniería de plataformas y sistemas en el Grupo de Centros de Datos de Intel"El crecimiento de la inteligencia artificial y otras cargas de trabajo intensivas en datos está imponiendo nuevas demandas a la infraestructura del servidor, lo que hace que la capacidad de memoria y el ancho de banda sean cada vez más importantes para el rendimiento general del sistema. Intel está trabajando en estrecha colaboración con Micron para validar su DDR5 RDIMM de 512 GB y ayudar a habilitar futuras plataformas de servidores diseñadas para satisfacer las crecientes demandas de las cargas de trabajo de centros de datos de próxima generación".

Satisfacer las demandas de memoria de cargas de trabajo intensivas en datos

La rápida proliferación de grandes modelos de lenguaje (LLM), inteligencia artificial agética, inferencia en tiempo real y cargas de trabajo de CPU de alto recuento de núcleos está impulsando la demanda de una mayor capacidad de memoria del servidor, un mayor ancho de banda y una mayor eficiencia energética. Los RDIMM de micronécticos de 512 GB abordan estas demandas al permitir que los conjuntos de datos más grandes permanezcan residentes en la memoria principal, reduciendo la dependencia de niveles de almacenamiento más lentos y minimizando el costoso movimiento de datos. El nuevo RDIMM de 512 GB también mejora la eficiencia, reduciendo la potencia operativa en más del 60% en comparación con los cuatro RDIMM de 128 GB.

Para cargas de trabajo de memoria, como el análisis de datos basado en Spark Support Vector Machines (SVM), los RDIMM de Micron 512 GB pueden ofrecer un rendimiento hasta 1,4 veces mayor en comparación con las configuraciones de 256 GB de DDR5. El módulo de 512 GB también proporciona ventajas significativas para bases de datos y plataformas de almacenamiento en caché intensivas en memoria, incluyendo RocksDB y Redis, mejorando el rendimiento, aumentando la concurrencia y ayudando a escalar los conjuntos de datos de manera más eficiente.

Lo que la industria tiene que decir sobre esta futura solución de memoria

Darrin Alves, director de información de Plataformas de Infraestructura de JPMorganChase "A medida que las cargas de trabajo de los centros de datos continúan creciendo, estamos cada vez más enfocados en cómo podemos optimizar el equilibrio entre computación, memoria y eficiencia en toda la pila. Las tecnologías de memoria de mayor capacidad como los RDIMM de 512 GB de Micron ayudarán a las empresas a soportar cargas de trabajo más grandes en la memoria, mejorar la utilización de los recursos y mejorar la flexibilidad necesaria para escalar los entornos informáticos modernos".

Micron espera que los RDIMM de 512 GB estén en producción en volumen en algún momento en la segunda mitad de 2027 alineados con las necesidades de los clientes.

Fuente: Micron