Micron envía muestras de HBM4: Módulos 12-Hi de 36 GB con 2 TB/s de ancho de banda

Micron ha logrado un importante avance en la arquitectura HBM4, que apilará 12 troqueles de DRAM (12-Hi) para proporcionar 36 GB de capacidad por paquete. Según representantes de la compañía, está previsto que las primeras muestras de ingeniería se envíen a socios clave en las próximas semanas, lo que allanará el camino para la producción completa a principios de 2026. El diseño de HBM4 se basa en el nodo de proceso 1β ("one-beta") establecido por Micron para las placas DRAM, en producción desde 2022, mientras se prepara para introducir el 1γ ("one-gamma") habilitado para EUV a finales de este año para DDR5. Al aumentar la anchura de la interfaz de 1.024 a 2.048 bits por pila, cada chip HBM4 puede alcanzar un ancho de banda de memoria sostenido de 2 TB/s, lo que representa una mejora de eficiencia del 20% con respecto al estándar HBM3E existente.

Se espera que NVIDIA y AMD sean las primeras en adoptar HBM4 de Micron. NVIDIA tiene previsto integrar estos módulos de memoria en sus próximos aceleradores de IA Rubin-Vera en la segunda mitad de 2026. Se prevé que AMD incorpore HBM4 en su serie Instinct MI400 de próxima generación, y se revelará más información en la conferencia Advancing AI 2025 de la compañía. La mayor capacidad y ancho de banda de HBM4 dará respuesta a la creciente demanda de inteligencia artificial generativa, computación de alto rendimiento y otras aplicaciones con gran volumen de datos. La mayor altura de la pila y la mayor anchura de la interfaz permiten un movimiento más eficiente de los datos, un factor crítico en la computación multicanal.